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公开(公告)号:CN119366062A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202380050705.1
申请日:2023-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于支持超诸如长期演进(LTE)的4G通信系统的更高数据速率的5G通信系统或6G通信系统。一种RIS的晶胞包括:第一导电结构,包括第一元件和设置在第一元件下方的第二元件;第二导电结构,包括第三元件和设置在第三元件下方的第四元件;以及开关电路,被设置在第一导电结构和第二导电结构之间。当来自第一外部设备的第一RF信号入射在晶胞上时,具有第一谐振频率的第二RF信号基于分别形成在第一元件和第三元件中的电路径被反射,并且具有与第一谐振频率不同的第二谐振频率的第三RF信号基于分别形成在第二元件和第四元件中的电路径被反射。