公开(公告)号：CN108155188B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201711245214.5

申请日：2017-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  山田悟 ,  金俊秀 ,  朴洪来 ,  李元锡 ,  全南镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：具有有源区的衬底；延伸跨过所述有源区的字线；在所述字线之间的所述有源区上的位线，所述位线和所述有源区之间的位线节点接触部；以及在所述有源区的端部上的存储节点接触部，其中所述位线节点接触部或所述存储节点接触部中的一个或多个包括硅锗。

公开(公告)号：CN108155188A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711245214.5

申请日：2017-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  山田悟 ,  金俊秀 ,  朴洪来 ,  李元锡 ,  全南镐

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：具有有源区的衬底；延伸跨过所述有源区的字线；在所述字线之间的所述有源区上的位线，所述位线和所述有源区之间的位线节点接触部；以及在所述有源区的端部上的存储节点接触部，其中所述位线节点接触部或所述存储节点接触部中的一个或多个包括硅锗。