公开(公告)号：CN101545136B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200810185914.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  朴性秀 ,  安德雷·朱尔卡尼夫 ,  韩在镕 ,  郑得锡

IPC: H01L21/04

CPC classification number: C30B35/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种微加热器阵列和包括微加热器阵列的PN结器件及其制造方法。本发明包括：包括在衬底上彼此垂直或平行设置的第一微加热器和第二微加热器的微加热器阵列；以及利用当将电压施加到微加热器阵列时分别从第一加热部分和第二加热部分产生的热在第一加热部分与第二加热部分之间制造PN结的方法。因此，当使用微加热器形成PN结时，可以在玻璃衬底上的大面积内制造高质量的PN结。

公开(公告)号：CN102191539A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110041543.4

申请日：2011-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴性秀 ,  李文相

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明涉及生长氮化物半导体的方法及由其形成的氮化物半导体衬底。一种生长氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成氮化物半导体点；以及在该氮化物半导体点上生长氮化物半导体层。该氮化物半导体层可从该衬底分离以用作氮化物半导体衬底。

公开(公告)号：CN101545136A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810185914.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  朴性秀 ,  安德雷·朱尔卡尼夫 ,  韩在镕 ,  郑得锡

IPC: C30B25/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B35/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种微加热器阵列和包括微加热器阵列的PN结器件及其制造方法。本发明包括：包括在衬底上彼此垂直或平行设置的第一微加热器和第二微加热器的微加热器阵列；以及利用当将电压施加到微加热器阵列时分别从第一加热部分和第二加热部分产生的热在第一加热部分与第二加热部分之间制造PN结的方法。因此，当使用微加热器形成PN结时，可以在玻璃衬底上的大面积内制造高质量的PN结。

公开(公告)号：CN103199168A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310009042.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李文相 ,  朴性秀 ,  朴永洙

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种生长氮化物半导体层的方法，该方法可以包括：在反应器中准备基板；在第一温度在基板上生长第一氮化物半导体，该第一氮化物半导体的热膨胀系数不同于基板的热膨胀系数；以及在第二温度去除基板。

公开(公告)号：CN108342773A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810154259.X

申请日：2011-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴性秀 ,  李文相

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明涉及生长镓氮化物半导体层的方法。一种生长镓氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成镓氮化物半导体点；以及在该镓氮化物半导体点上生长镓氮化物半导体层。该镓氮化物半导体层可从该衬底分离以用作镓氮化物半导体衬底。