公开(公告)号：CN101276842A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810004460.6

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹秉奎 ,  李世薰 ,  朴奎燦 ,  李忠浩

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/06 ,  G06F15/78

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825

Abstract: 在一个实施例中，半导体存储器件包括具有突起部分的半导体衬底、在至少一个突起的半导体衬底部分上面形成的隧穿绝缘层以及设置在该隧穿绝缘层上面的浮栅结构。浮栅结构的上部宽于浮栅结构的下部，并且浮栅结构的下部宽度小于隧穿绝缘层的宽度。第一绝缘层部分形成在半导体衬底中并从半导体衬底突起，以使浮栅结构设置在突起的第一绝缘层部分之间。介电层形成在第一绝缘层部分和浮栅结构上方，且控制栅形成在介电层上方。