公开(公告)号：CN111354717B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201911308158.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王唯一 ,  马克·S·罗德尔 ,  普利亚齐卡斯·瓦斯里奥斯

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 提供一种单片三维集成电路及其制造方法。单片三维集成电路包括：第一器件；第二器件，位于第一器件上；以及热屏蔽堆叠体，位于第一器件与第二器件之间。热屏蔽堆叠体包括在竖直方向上具有低的热导率的热阻滞部分和在水平方向上具有高的热导率的热扩散部分。单片三维集成电路的热屏蔽堆叠体仅包括介电材料。

公开(公告)号：CN111354717A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911308158.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王唯一 ,  马克·S·罗德尔 ,  普利亚齐卡斯·瓦斯里奥斯

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 提供一种单片三维集成电路及其制造方法。单片三维集成电路包括：第一器件；第二器件，位于第一器件上；以及热屏蔽堆叠体，位于第一器件与第二器件之间。热屏蔽堆叠体包括在竖直方向上具有低的热导率的热阻滞部分和在水平方向上具有高的热导率的热扩散部分。单片三维集成电路的热屏蔽堆叠体仅包括介电材料。