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公开(公告)号：CN115223949A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210364300.2
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L25/18 , H01L27/108 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：提供包括缓冲层和基体基板的第一基板；在所述缓冲层上形成包括多个单元层叠件的堆叠模制结构，每个所述单元层叠件包括在垂直方向上顺序地堆叠的第一牺牲层、第一硅层、第二牺牲层和第二硅层；以及通过替换工艺将所述堆叠模制结构替换为堆叠存储结构，其中，所述堆叠存储结构包括替换了所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的金属图案以及替换了所述第二硅层的绝缘图案，所述缓冲层包括硅锗，并且所述缓冲层的锗浓度根据所述第一牺牲层的锗浓度和所述第二牺牲层的锗浓度而改变。
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