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发明公开
半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统审中-实审

公开(公告)号：CN115206914A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210370873.6

申请日：2022-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权烔辉 , 徐赞煜 , 闵忠基 , 尹普彦

IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538

Abstract: 一种半导体器件包括：第一衬底；电路元件，在第一衬底上；下互连线，电连接到电路元件；第二衬底，在下互连线上；栅电极，彼此间隔开并沿垂直于第二衬底的上表面的第一方向堆叠在第二衬底上；沟道结构，贯穿栅电极，沿第一方向延伸，以及分别包括沟道层；贯通孔，沿第一方向延伸并将栅电极或沟道结构中的至少一个电连接到电路元件；绝缘区域，围绕贯通孔的侧表面；以及过孔焊盘，在第一方向上位于贯通孔与至少一条下互连线之间，并且在第二方向上与第二衬底间隔开，第二方向平行于第二衬底的上表面。

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