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公开(公告)号:CN1609716A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410054537.2
申请日:2004-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00439 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , B01J2219/00675 , B01J2219/00677 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/00729 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B50/14 , C40B60/14 , G03F7/0045 , G03F7/40 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , Y10S430/127
Abstract: 本发明提供了包含光敏酸发生物质单体和表面活性剂的组合物,以及利用所述的组合物在载体上合成化合物的方法。所述方法包括将具有酸敏保护基的第一种分子层键合至固体载体上;在第一种分子层上包被本发明的光敏酸发生物质单体组合物层;将组合物层曝光然后热处理以从相应于曝光区域的第一种分子去除酸敏保护基;从曝光和未曝光的区域清洗并去除组合物层;并将第二种分子键合至暴露的第一种分子。
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公开(公告)号:CN1313907A
公开(公告)日:2001-09-19
申请号:CN00801053.6
申请日:2000-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J2219/00432 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00529 , B01J2219/00585 , B01J2219/0059 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00608 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , B01J2219/00675 , B01J2219/00711 , B01J2219/00729 , C07B2200/11 , C07K14/003 , C40B50/14 , C40B60/14 , Y02P20/55
Abstract: 本发明涉及一种使用聚合光致酸化剂制备固定在固体基质上的寡肽核酸探针点阵的方法,本发明的肽核点阵制备步骤包括:(ⅰ)在醇中用氨烷基氧硅烷把固体基质表面衍生化,并且在固体基质上用酸敏保护基附加上一个连接子;(ⅱ)用聚合光致酸化剂(PAG)涂布该固体基质;(ⅲ)把被涂布的固体基质暴光产生酸消除酸敏保护基;(ⅳ)用碱液或有机溶液清洗该固体基质,并除去残留的聚合光致酸化剂;(ⅴ)用酸敏保护基给该固体基质附加单体肽核酸,并且重复前(ⅱ)-(ⅴ)步骤。根据本发明,能简便有效地利用聚合光致酸化剂有望用中性肽核酸探针替代传统的负电寡核苷酸探针,而且能克服现有技术中DNA芯片制作中使用的复杂PR体系和PPA体系。
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公开(公告)号:CN100374956C
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200410054537.2
申请日:2004-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00439 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , B01J2219/00675 , B01J2219/00677 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/00729 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B50/14 , C40B60/14 , G03F7/0045 , G03F7/40 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , Y10S430/127
Abstract: 本发明提供了包含光敏酸发生物质单体和表面活性剂的组合物,以及利用所述的组合物在载体上合成化合物的方法。所述方法包括将具有酸敏保护基的第一种分子层键合至固体载体上;在第一种分子层上包被本发明的光敏酸发生物质单体组合物层;将组合物层曝光然后热处理以从相应于曝光区域的第一种分子去除酸敏保护基;从曝光和未曝光的区域清洗并去除组合物层;并将第二种分子键合至暴露的第一种分子。
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公开(公告)号:CN1500715A
公开(公告)日:2004-06-02
申请号:CN200310104313.3
申请日:2003-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , G03F7/0392 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/40 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了一种形成碳纳米管图形的方法,它包括用光刻法在表面处理的基质上形成图形,利用化学自组装工艺在其上层压碳纳米管,从而形成单层或多层结构的碳纳米管。根据该方法,可很容易在如玻璃、硅晶片或塑料上形成碳纳米管图形,单层或多层碳纳米管图形。因此,该方法可用于构成具有高导电率的碳纳米管层图形。因此可用于制造能量贮存器的工艺中,例如,太阳能电池和电池组、平板显示屏、晶体管、化学和生物的传感器、半导体装置,等等。
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公开(公告)号:CN1284720C
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200310104313.3
申请日:2003-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , G03F7/0392 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/40 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了一种形成碳纳米管图形的方法,它包括用光刻法在表面处理的基质上形成图形,利用化学自组装工艺在其上层压碳纳米管,从而形成单层或多层结构的碳纳米管。根据该方法,可很容易在如玻璃、硅晶片或塑料上形成碳纳米管图形,单层或多层碳纳米管图形。因此,该方法可用于构成具有高导电率的碳纳米管层图形。因此可用于制造能量贮存器的工艺中,例如,太阳能电池和电池组、平板显示屏、晶体管、化学和生物的传感器、半导体装置,等等。
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公开(公告)号:CN1148456C
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN00801053.6
申请日:2000-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J2219/00432 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00529 , B01J2219/00585 , B01J2219/0059 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00608 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , B01J2219/00675 , B01J2219/00711 , B01J2219/00729 , C07B2200/11 , C07K14/003 , C40B50/14 , C40B60/14 , Y02P20/55
Abstract: 本发明涉及一种使用聚合光致酸化剂制备固定在固体基质上的寡肽核酸探针点阵的方法,本发明的肽核点阵制备步骤包括:(i)在醇中用氨烷基氧硅烷把固体基质表面衍生化,并且在固体基质上用酸敏保护基附加上一个连接子;(ii)用聚合光致酸化剂(PAG)涂布该固体基质;(iii)把被涂布的固体基质暴光产生酸消除酸敏保护基;(iv)用碱液或有机溶液清洗该固体基质,并除去残留的聚合光致酸化剂;(v)用酸敏保护基给该固体基质附加单体肽核酸,并且重复前(ii)-(v)步骤。根据本发明,能简便有效地利用聚合光致酸化剂有望用中性肽核酸探针替代传统的负电寡核苷酸探针,而且能克服现有技术中DNA芯片制作中使用的复杂PR体系和PPA体系。
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