公开(公告)号：CN1028691C

公开(公告)日：1995-05-31

申请号：CN90107967.7

申请日：1990-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐光壁 ,  郑泰荣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 一种制造半导体器件的BOX结构叠层状电容器的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层，在有源区上制作晶体管的栅极、源区和漏区，在场氧化层上预定区域制作第一导电层，并且在栅极和第一导电层上制作第一隔离层；在上述构造上形成第二隔离层；开一窗口使该源区部分裸露，然后淀积第二导电层；并覆盖第三隔离层；淀积第三导电层；将处于源区上方的第三导电层腐蚀；去除第三隔离层，并制作电容器第一电极；依次在上面所述的结构上制备电介质层和第四导电层。

公开(公告)号：CN1057130A

公开(公告)日：1991-12-18

申请号：CN90107967.7

申请日：1990-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐光壁 ,  郑泰荣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 一种制造半导体器件的BOX结构堆状电容器的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成场氧化层，在有源区上制作晶体管的栅极、源区和漏区，在场氧化层上预定区域制作第一导电层，并且在栅极和第一导电层上制作第一隔离层；在上述构造上形成第二隔离层；开一窗口使该源区部分裸露，然后淀积第二导电层；并覆盖第三隔离层；淀积第三导电层；将处于源区上方的第三导电层腐蚀；去除第三隔离层，并制作电容器第一电极；依次在上面所述的结构上制备电介质层和第四导电层。