公开(公告)号：CN1248791A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99120355.0

申请日：1999-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权喆纯 ,  张主源 ,  崔庸培

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10882

Abstract: 一种在具有高、低拓朴区域的集成电路上形成布线层的方法,该方法包括以下步骤:在该低拓朴区域,而非该高拓朴区域上,形成一下布线层;接着在至少该低拓朴区域形成一绝缘层;然后在该低拓朴区域和该高拓朴区域上形成一上布线层。本发明还涉及一种集成电路形成的方法及一种集成电路。

公开(公告)号：CN1229861C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN99120355.0

申请日：1999-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权喆纯 ,  张主源 ,  崔庸培

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10882

Abstract: 一种在具有高、低拓朴区域的集成电路上形成布线层的方法，该方法包括以下步骤：在该低拓朴区域，而非该高拓朴区域上，形成一下布线层；接着在至少该低拓朴区域形成一绝缘层；然后在该低拓朴区域和该高拓朴区域上形成一上布线层。本发明还涉及一种集成电路形成的方法及一种集成电路。