用于输出音频信号的设备及用于输出音频信号的方法

    公开(公告)号:CN106575211B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201580042410.5

    申请日:2015-08-05

    Abstract: 提供用于输出音频信号的设备。该设备包括振动器、振动器盖子、传感器、距离调整单元和控制单元,其中,振动器配置为输出音频信号;振动器盖子设置在振动器上以向穿戴有设备的对象的表面传输所输出的音频信号;传感器配置为测量对象的表面与振动器盖子之间的压力;距离调整单元配置为基于由传感器测量的压力来调整对象的表面与振动器盖子之间的距离;以及控制单元配置为控制振动器、传感器和距离调整单元。

    可佩戴设备及其操作方法

    公开(公告)号:CN107850942B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201680041457.4

    申请日:2016-07-14

    Abstract: 提供了一种可穿戴设备以及一种操作该可穿戴设备的方法,可穿戴设备通过使用施加到佩戴可穿戴设备的用户的身体部位的振动信号来与外部设备进行通信。根据示例实施例的一方面,可穿戴设备包括控制器,其配置为确定要被传递到外部设备的数据;以及振动传递单元,包括振动传递电路,其配置为当外部设备接触用户的身体部位时通过将振动信号施加到用户的身体部位,将与所确定的数据相对应的振动信号传递到外部设备。

    用于更新数字广播信号接收器中的功能的装置及其方法

    公开(公告)号:CN100414979C

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200510097686.1

    申请日:2005-08-31

    Inventor: 崔铉哲

    Abstract: 一种更新数字广播信号接收器中的功能的装置和方法。所述装置包括存储部件,存储用于执行提供给数字广播接收部件的各种功能的数据;程序特定信息/业务信息(PSI/SI)提取部件,从接收到的数字广播信号中提取PSI/SI;和功能实现部件,根据PSI/SI来识别数字广播信号的所支持的功能,和从存储部件中搜索用于执行所识别的功能的数据,使得所识别的功能可以在数字广播接收部件中执行。

    数字广播系统、广播信号接收设备及其软件下载方法

    公开(公告)号:CN1941709A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610144721.5

    申请日:2006-08-18

    Inventor: 崔铉哲 张惠荣

    Abstract: 本发明提供了从数字广播系统向广播信号接收设备下载软件的方法和设备。广播基站发射广播信号,包括软件更新数据和访问提供软件更新数据的另一提供媒质的媒质信息。广播信号被广播信号接收设备接收,并且如果广播信号中存在可更新的软件,就提取可更新的软件和媒质信息。存储提取的媒质信息并启动所提取软件的下载。监视所提取软件的下载,并且在下载异常的情况下可执行软件的重新下载。因此,如果通过广播信号的软件下载操作为异常执行,那么可以通过其他接收路径执行软件下载。

    更新数字广播信号接收机中应用软件的组件的设备及方法

    公开(公告)号:CN100493159C

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200510099061.9

    申请日:2005-09-06

    Inventor: 周载坤 崔铉哲

    Abstract: 一种用于更新数字广播信号接收机中的应用软件的组件的设备及其方法。存储部分存储执行数据,该执行数据用于执行产生数字信号接收机的用户界面的应用软件。节目特定信息/服务信息提取部分从所接收的数字广播信号中提取节目特定信息/服务信息(PSI/SI)。更新数据提取部分从节目特定信息/服务信息中提取用于部分地更新应用软件的更新信息,并根据更新信息从数字广播信号中提取用于更新应用软件的更新数据,以便将存储在存储部分中的执行数据更新为提取的更新数据。应用软件部分根据更新后的执行数据来更新并执行应用软件。因此,节约了更新应用软件所需要的时间和资源。

    具有自对准触点半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1200457C

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN02150265.X

    申请日:1997-10-30

    Abstract: 制造半导体器件的方法包括步骤:在具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底上形成栅电极,栅电极被隔离层覆盖;在具有栅电极的半导体衬底上形成平面化的第一层间介质(ILD)膜;在第一ILD膜上形成第二ILD膜;在第二ILD膜上形成留膜保护层,留膜保护层具有第一刻蚀速率;顺序使留膜保护层、第二ILD膜和第一ILD膜图形化形成同时暴露半导体衬底有源区和单元阵列区中隔离层一部分的压焊区焊盘孔;和在压焊区焊盘孔中形成压焊区焊盘,压焊区焊盘具有小于第一刻蚀速率的第二刻蚀速率。

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