公开(公告)号：CN119517766A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411100895.6

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秦溶 ,  杨秀烈 ,  李在恩 ,  权赫准 ,  崔真源 ,  二山拓也

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G01B7/00 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了半导体多层结构以及半导体多层结构的测试电路的操作方法。所述半导体多层结构包括：第一半导体晶片，其包括多个第一焊盘；第二半导体晶片，其包括与所述多个第一焊盘组合的多个第二焊盘；以及测试电路，其被配置为向其中所述多个第一焊盘当中的预设第一参考焊盘与所述多个第二焊盘当中的预设第二参考焊盘组合的参考组合部分施加第一电压，并且向其中所述多个第一焊盘当中的至少一个第一焊盘与所述多个第二焊盘当中的至少一个第二焊盘组合的比较组合部分施加第二电压，其中，所述测试电路将基于所述参考组合部分与所述比较组合部分的电阻比而分布的电压与预设参考电压进行比较，以确定所述至少一个第一焊盘是否与所述至少一个第二焊盘对准。