公开(公告)号：CN1239321A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98126555.3

申请日：1998-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  金定坤 ,  崔相奉

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/307 ,  H01J37/28

Abstract: 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。

公开(公告)号：CN1213469C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN98126555.3

申请日：1998-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  金定坤 ,  崔相奉

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G01R31/307

CPC classification number: G01R31/307 ,  H01J37/28

Abstract: 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。

公开(公告)号：CN1144038C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN00124292.X

申请日：2000-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  崔相奉 ,  赵炯奭 ,  玄弼植 ,  林圭弘 ,  李炳严

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21

Abstract: 一种检测晶片表面的缺陷如微刮伤的装置。光按一定角度射到晶片表面介质上，在该角度时，光不由可位于介质下方的另一层反射。将晶片表面反射的光转换为电信号，但尽可能排除任何表面散射的光以不影响信号形成。电信号对应于晶片表面的反射光强度。当光扫描过晶片时，比较电信号量值以确定介质中是否有缺陷。由于射到晶片表面的光将由缺陷例如微刮伤散射，可以有效监测微刮伤，并且与介质下方结构例如图形层无关，可检测介质中的包含微刮伤的缺陷。

公开(公告)号：CN1285509A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00124292.X

申请日：2000-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全忠森 ,  全相文 ,  崔相奉 ,  赵炯奭 ,  玄弼植 ,  林圭弘 ,  李炳严

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21

Abstract: 一种检测晶片表面的缺陷如微刮伤的方法和装置。光按一定角度射到晶片表面介质上,在该角度时,光不由可位于介质下方的另一层反射。将晶片表面反射的光转换为电信号,但尽可能排除任何表面散射的光以不影响信号形成。电信号对应于晶片表面的反射光强度。当光扫描过晶片时,比较电信号量值以确定介质中是否有缺陷。由于射到晶片表面的光将由缺陷例如微刮伤散射,可以有效监测微刮伤,并且与介质下方结构例如图形层无关,可检测介质中的包含微刮伤的缺陷。