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公开(公告)号：CN101620846A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910147782.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/1446 , G09G2320/0606 , G09G2320/08 , G09G2340/0464
Abstract: 提供了一种包括多个显示装置的多显示系统，其中在多个显示装置中显示整幅图像的局部图像。该多显示系统包括多个显示装置，其显示整幅图像的局部图像；和图像分配装置，其基于局部图像之间所设置的间隔距离，生成局部图像。
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公开(公告)号：CN1985422A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023794.2
申请日：2005-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔炳仁
IPC: H02H9/02
CPC classification number: G06F13/4068
Abstract: 一种电子装置，包括：微计算机；通过预定通信线与该微计算机通信的集成电路IC；以及瞬变电流断路器，防止由该微计算机将预定瞬变电流通过该通信线传入该IC。从而提供一种防止由微计算机将瞬变电流传入邻近的集成电路的电子装置，借此解决远程通信中的问题。
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公开(公告)号：CN101740129B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN200910220889.3
申请日：2009-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C8/08 , G11C11/5642 , G11C16/3418 , G11C29/00
Abstract: 本发明构思的目的在于提供一种因补偿闪速存储单元的阈值电压而具有改善的可靠性的非易失性存储装置及其读取方法。根据本发明构思的非易失性存储装置包括：存储单元阵列，连接到多条字线；电压产生器，用于在执行读取操作时，将选择的读取电压提供到所述多条字线中的选择的字线，将未选的读取电压提供到所述多条字线中的未选的字线。电压产生器根据未选的字线是否与选择的字线相邻而产生电平不同的未选的读取电压。根据本发明构思的非易失性存储装置补偿因各种原因而升高或降低的阈值电压。根据本发明的构思，改善了非易失性存储装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101232048A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710166675.3
申请日：2007-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247 , G11C16/10 , G06F13/00
Abstract: 一种存储晶体管，包括衬底、在该衬底上的隧穿绝缘图形、在该遂穿绝缘图形上的电荷存储图形、在该电荷存储图形上的阻挡绝缘图形和在该阻挡绝缘图形上的栅极，该阻挡绝缘图形包围该栅极，以及一种操作和制造该存储晶体管的方法。非易失性存储器还可以包括串联的多个存储晶体管和在串联的多个单元晶体管中每一个之间的多个辅助结构。多个辅助结构中的每一个都可以是虚拟掩模图形或者辅助栅极结构。
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公开(公告)号：CN102682847B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201210057997.5
申请日：2012-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。根据示例性实施例，所述非易失性存储装置包括：基底；至少一个串，从基底垂直延伸；位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串。所述至少一个串可以包括含有多晶硅的沟道。位线电流控制电路可被构造为当温度减小时根据温度的减小来增加提供给至少一条位线的电流量，以使流过所述至少一个串的沟道的电流增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101447229A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810128909.X
申请日：2008-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/30
Abstract: 本公开提供集成电路闪存器件及其擦除方法。集成电路闪存器件，诸如NAND闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器。该擦除控制器被构造为：在该集成电路闪存器件的擦除操作期间，同时地向虚闪存单元施加与普通闪存单元不同的预定偏压。还公开了与其相关的方法。
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公开(公告)号：CN119277785A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410723478.0
申请日：2024-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：板层；栅电极，其在板层上堆叠并且彼此间隔开，并且包括第一栅电极和第一栅电极上的第二栅电极；第一沟道结构，其在第一栅电极中延伸；以及第二沟道结构，其在第二栅电极中延伸并且分别电连接到第一沟道结构，其中，第二栅电极包括金属材料，并且其中，第二沟道结构中的每一个包括第二沟道层、位于第二沟道层与第二栅电极之间的第二栅极电介质层、位于第二沟道层的内侧表面上的第二沟道埋置绝缘层、位于第二沟道埋置绝缘层上的第二沟道焊盘、以及位于第二沟道焊盘和第二沟道层上的第二焊盘氧化物层。
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公开(公告)号：CN101620846B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200910147782.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/14
CPC classification number: G06F3/1446 , G09G2320/0606 , G09G2320/08 , G09G2340/0464
Abstract: 提供了一种包括多个显示装置的多显示系统，其中在多个显示装置中显示整幅图像的局部图像。该多显示系统包括多个显示装置，其显示整幅图像的局部图像；和图像分配装置，其基于局部图像之间所设置的间隔距离，生成局部图像。
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公开(公告)号：CN101447229B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810128909.X
申请日：2008-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/30
Abstract: 本公开提供集成电路闪存器件及其擦除方法。集成电路闪存器件，诸如NAND闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器。该擦除控制器被构造为：在该集成电路闪存器件的擦除操作期间，同时地向虚闪存单元施加与普通闪存单元不同的预定偏压。还公开了与其相关的方法。
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公开(公告)号：CN102682847A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210057997.5
申请日：2012-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。根据示例性实施例，所述非易失性存储装置包括：基底；至少一个串，从基底垂直延伸；位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串。所述至少一个串可以包括含有多晶硅的沟道。位线电流控制电路可被构造为当温度减小时根据温度的减小来增加提供给至少一条位线的电流量，以使流过所述至少一个串的沟道的电流增加。
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