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发明公开
半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN119155999A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410758277.4

申请日：2024-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡教锡 , 林兑旭 , 李进成 , 崔曦才 , 韩正勋 , 姜秉河 , 慎奎泽 , 郑信友

IPC: H10B12/00 , H01L29/423

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，包括限定有源区的器件隔离膜；以及在包括第一区域和第二区域的沟槽中的单元栅极结构，单元栅极结构延伸以与有源区交叉，单元栅极结构中的每个包括沿着沟槽的内侧壁延伸的单元栅极绝缘层、在沟槽的第一区域中在单元栅极绝缘层的侧壁上的第一栅极电介质膜、在沟槽的第二区域中在单元栅极绝缘层的侧壁上的第二栅极电介质膜、以及单元栅极电极结构，包括在第一区域中在第一栅极电介质膜的侧壁上的第一栅极电极层和在第二区域中在第二栅极电介质膜的侧壁上的第二栅极电极层。

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