公开(公告)号：CN114446976A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111203462.X

申请日：2021-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  朴真佑 ,  崔一珪

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/04 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了一种半导体器件和包括其的电子系统。所述半导体器件可以包括：外围电路结构，包括电路；衬底，位于所述外围电路结构上；成对的字线切割结构，在所述衬底上在第一方向上延伸；以及存储单元块，位于所述成对的字线切割结构之间并且位于所述衬底上。所述存储单元块可以包括：存储堆叠结构，包括在垂直方向上彼此交叠的栅极线；层间绝缘层，位于每条所述栅极线的边缘部分上；堤坝结构，延伸穿过所述栅极线和所述层间绝缘层；相交方向切割结构，在所述垂直方向上延伸穿过所述存储堆叠结构和所述层间绝缘层并且与所述堤坝结构间隔开；以及虚设沟道结构，位于所述相交方向切割结构与所述堤坝结构之间。