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公开(公告)号：CN119277779A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410830307.8
申请日：2024-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了半导体器件。集成电路存储器件(例如，DRAM)包括：衬底，所述衬底在其上具有位线；以及电绝缘区，所述电绝缘区在其中具有暴露所述位线的第一部分的第一开口。提供了第一半导体有源层，所述第一半导体有源层沿着所述第一开口的相对的第一侧壁和第二侧壁以及所述位线的暴露的第一部分形成一层，使得在所述位线的所述暴露的第一部分和所述第一半导体有源层的在所述第一开口的所述第一侧壁和第二侧壁之间延伸的部分之间提供直接电连接。第一字线提供在所述第一半导体有源层的与所述第一开口的所述第一侧壁相对延伸的第一部分上，并且第二字线提供在所述第一半导体有源层的与所述第一开口的所述第二侧壁相对延伸的第二部分上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223854B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910807532.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋在俊
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 提供了包括互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路器件。所述集成电路器件包括：基底，包括第一导电型区域和第二导电型区域；第一有源区，布置在第二导电型区域中；第二有源区，布置在第一导电型区域中并且与第一有源区分隔开，并且隔离区位于第二有源区与第一有源区之间；隔离膜，形成在隔离区中；以及第一场切割区，在与第一有源区上的第一导电型晶体管和第二有源区上的第二导电型晶体管中的每个的沟道长度方向平行的第一方向上沿隔离区延伸。
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公开(公告)号：CN119277771A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410117071.3
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，在基底上；位线，电连接到第一晶体管；沟道层，在位线上；栅极绝缘层，在沟道层上；字线，在栅极绝缘层上；接合垫，电连接到沟道层；连接垫，电连接到字线和第二晶体管；以及分隔结构，将接合垫与连接垫分开。分隔结构包括接合垫与连接垫之间的中间部分。
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公开(公告)号：CN118354600A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311369127.6
申请日：2023-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，其包括：在衬底上的外围栅极结构；位线，设置在外围栅极结构上并沿第一方向延伸；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；第一通道图案，穿过垫分离图案连接到突出绝缘图案并由氧化物基绝缘材料形成；以及设置在着落垫上的数据存储图案。
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公开(公告)号：CN111223854A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910807532.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋在俊
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 提供了包括互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路器件。所述集成电路器件包括：基底，包括第一导电型区域和第二导电型区域；第一有源区，布置在第二导电型区域中；第二有源区，布置在第一导电型区域中并且与第一有源区分隔开，并且隔离区位于第二有源区与第一有源区之间；隔离膜，形成在隔离区中；以及第一场切割区，在与第一有源区上的第一导电型晶体管和第二有源区上的第二导电型晶体管中的每个的沟道长度方向平行的第一方向上沿隔离区延伸。
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