-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779099B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210141587.9
申请日：2012-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/1545 , G06F1/3225 , G06F1/3275 , G06F11/1048 , H03M13/09 , H03M13/152 , H03M13/3715 , Y02D10/13 , Y02D10/14
Abstract: 一种用于控制包括存储设备的存储系统的控制器。控制存储系统可以包括：利用存储系统的关键方程求解单元计算用于从存储设备读取数据的接收的读矢量中的错误位置多项式；利用存储系统的控制单元根据计算的错误位置多项式和关于错误位置多项式的信息中的至少一个来估计在接收的读矢量中的错误的数目；以及利用具有控制单元的存储系统的钱氏搜索单元根据计算的错误位置多项式来搜索接收的读矢量的错误位置。可以利用该控制单元调整钱氏搜索单元的每循环功耗。可以根据读矢量的错误的数目调整最大纠正时间。
-
公开(公告)号：CN102779099A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210141587.9
申请日：2012-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/1545 , G06F1/3225 , G06F1/3275 , G06F11/1048 , H03M13/09 , H03M13/152 , H03M13/3715 , Y02D10/13 , Y02D10/14
Abstract: 一种用于控制包括存储设备的存储系统的控制器。控制存储系统可以包括：利用存储系统的关键方程求解单元计算用于从存储设备读取数据的接收的读矢量中的错误位置多项式；利用存储系统的控制单元根据计算的错误位置多项式和关于错误位置多项式的信息中的至少一个来估计在接收的读矢量中的错误的数目；以及利用具有控制单元的存储系统的钱氏搜索单元根据计算的错误位置多项式来搜索接收的读矢量的错误位置。可以利用该控制单元调整钱氏搜索单元的每循环功耗。可以根据读矢量的错误的数目调整最大纠正时间。
-
公开(公告)号：CN106980467B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710019713.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F1/3296
Abstract: 公开了存储系统、主机、存储装置及其操作方法。存储装置包括非易失性存储器和被配置为连接存储装置至主机的连接器。连接器包括提供检测电压至主机的检测端子、电连接至检测端子并具有确定检测电压的电平的电阻值的感应电阻器以及从主机接收供电电压的供电端子，其中由主机响应于检测电压选取供电电压。
-
公开(公告)号：CN1905069B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200610110022.9
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: 一种将多级快闪存储设备中的所选单元编程的方法，包括：确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。
-
公开(公告)号：CN1905069A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610110022.9
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: 一种将多级快闪存储设备中的所选单元编程的方法，包括：确定是将所选存储单元的高位还是低位编程；检测存储在所选存储单元中的两个数据位的当前逻辑状态；确定高位或低位的目标逻辑状态；产生用于将高位或低位编程为目标逻辑状态的编程电压和验证电压；以及将所述编程电压和验证电压施加到与所选存储单元相连接的字线。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
