半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110931499B

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN201910869142.4

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域,上绝缘层位于堆叠结构上,覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度,第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。

    包括半导体芯片的半导体封装件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114497023A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110830956.4

    申请日:2021-07-22

    Inventor: 姜炫求 成载圭

    Abstract: 一种半导体封装件可以包括封装衬底上的半导体芯片。半导体封装件可以包括:多个导电连接件,其将半导体芯片连接到封装衬底;多个塔,它们彼此间隔开,并且各自包括多个存储器芯片,其中,从俯视图来看,多个塔中的每一个中的最下面的存储器芯片与半导体芯片叠置。半导体封装件还包括附着在多个塔中的每一个中的最下面的存储器芯片与半导体芯片之间的多个粘合层。

    半导体装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110931499A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201910869142.4

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域,上绝缘层位于堆叠结构上,覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度,第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。

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