公开(公告)号：CN115775743A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210792232.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 姜成昊 ,  李荣光

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了修复贯通电极的方法、修复装置和半导体装置。在修复贯通电极的方法中，多个贯通电极被分组成多个贯通电极组。多个备用贯通电极被分组成多个备用贯通电极组。搜索针对多个贯通电极的修复路径。当搜索修复路径时，响应于第X贯通电极组中包括的第Y贯通电极是有缺陷的贯通电极或者响应于接收到来自第(X‑1)贯通电极组的第一信号，确定第x备用贯通电极组中包括的第y备用贯通电极是否可用于执行向其的信号传输。响应于第y备用贯通电极可用于执行向其的信号传输，输入到第Y贯通电极的第二信号被传输到第y备用贯通电极。响应于第y备用贯通电极不可用于执行向其的信号传输，输入到第Y贯通电极的第二信号被传输到第(X+1)贯通电极组。

公开(公告)号：CN115762618A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211063563.6

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 李荣光 ,  姜成昊

IPC: G11C29/12

Abstract: 提供一种半导体系统、半导体装置、硅通孔测试方法和制造半导体装置的方法。半导体系统包括：半导体装置，其包括缓冲器晶片以及堆叠在缓冲器晶片上并且通过N个(其中N为正整数)TSV与缓冲器晶片通信的第一堆叠件晶片至第L(其中L是大于或等于2的整数)堆叠件晶片；以及TSV测试装置，其根据时钟信号测量N个TSV的一端的电压和另一端的电压中的每一个，将所述一端的电压和所述另一端的电压中的每一个与参考电压进行比较，并且根据比较结果确定N个TSV中的每一个是否具有多个TSV缺陷类型。