公开(公告)号：CN114068514A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110890563.2

申请日：2021-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜命衫 ,  高永璨 ,  郑泰成

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件和关联的方法，所述封装件包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，其位于衬底上；以及外部端子，其位于衬底下方，其中，衬底包括：核心部分；第一堆积部分和第二堆积部分，其位于核心部分的顶表面和底表面上，第一堆积部分和第二堆积部分包括电介质图案和线图案；以及插入器芯片，其位于核心部分中的嵌入区中，并且电连接至第一堆积部分和第二堆积部分，插入器芯片包括基体层；重新分布层，其位于基体层上；以及过孔件，其穿透基体层，过孔件连接至重新分布层，并且在基体层的表面处被暴露，重新分布层连接至第一堆积部分的线图案，并且过孔件连接至第二堆积部分的线图案。

公开(公告)号：CN114078830A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110754281.X

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜命衫 ,  高永璨 ,  金廷锡 ,  文炅燉 ,  赵捧住

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装包括：重分布基板，包括介电层和在介电层中的布线图案，布线图案包括：水平延伸的线部分及与线部分连接的通孔部分，通孔部分的宽度小于线部分的宽度；在重分布基板的顶表面上的钝化层，钝化层包括与介电层的材料不同的材料；导电柱，导电柱穿透钝化层，导电柱连接到通孔部分；以及连接端子，在导电柱的顶表面上，导电柱的顶表面与钝化层的顶表面之间的距离大于钝化层的厚度。

公开(公告)号：CN119133108A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410111562.7

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玉敬 ,  姜命衫 ,  权漆佑 ,  金惠镇

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、在封装基底上的芯片结构、设置在封装基底上并围绕芯片结构设置的外围结构以及设置在封装基底的边缘处并围绕外围结构和芯片结构的加强件结构。加强件结构包括顺序堆叠的第一加强件和第二加强件，第二加强件包括与第一加强件的材料不同的材料，并且第二加强件具有比第一加强件的第一宽度宽的第二宽度并且与外围结构竖直叠置。