公开(公告)号：CN111446205B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201911355302.X

申请日：2019-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 迦尼士·海兹 ,  哈索诺·S·席姆卡

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提出一种用于集成电路的互连件及其形成方法。形成用于集成电路的互连件的方法，包含：标识互连件势垒材料；标识多种潜在掺杂元素；形成包含互连件势垒材料的潜在势垒结构的集合体，互连件势垒材料在多个掺杂位置处且以多种潜在掺杂元素中的每一种的多个掺杂量掺杂；计算集合体的势垒结构中的每一个的态密度；基于态密度来选择掺杂元素和掺杂量；以及沉积包含合金的势垒层，合金包含互连件势垒材料和在所选掺杂量下的所选掺杂元素。本公开的互连件可降低导电金属/势垒界面的电阻率和导电金属/势垒堆叠的垂直电阻率。

公开(公告)号：CN111446205A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911355302.X

申请日：2019-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 迦尼士·海兹 ,  哈索诺·S·席姆卡

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提出一种用于集成电路的互连件及其形成方法。形成用于集成电路的互连件的方法，包含：标识互连件势垒材料；标识多种潜在掺杂元素；形成包含互连件势垒材料的潜在势垒结构的集合体，互连件势垒材料在多个掺杂位置处且以多种潜在掺杂元素中的每一种的多个掺杂量掺杂；计算集合体的势垒结构中的每一个的态密度；基于态密度来选择掺杂元素和掺杂量；以及沉积包含合金的势垒层，合金包含互连件势垒材料和在所选掺杂量下的所选掺杂元素。本公开的互连件可降低导电金属/势垒界面的电阻率和导电金属/势垒堆叠的垂直电阻率。