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公开(公告)号：CN116997181A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310473453.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区；有源区的侧表面上的隔离区；栅极沟槽，与有源区相交，并且延伸到隔离区中；栅极沟槽中的栅极结构；第一杂质区和第二杂质区，在栅极结构的两侧上的有源区中，并且彼此间隔开；位线结构，包括与栅极结构相交的线部和在线部下方并电连接到第一杂质区的插塞部；以及在插塞部的侧表面上的绝缘结构。绝缘结构包括：间隔物，包括第一材料；绝缘图案，在插塞部和间隔物之间，并且包括第二材料；以及绝缘衬层，覆盖绝缘图案的侧表面和底表面，并且包括第三材料。
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公开(公告)号：CN113126910A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110051502.7
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种包括非易失性存储器件的存储设备的操作方法，包括：从外部主机设备接收包括第一键的第一键‑值(KV)命令；响应于第一KV命令，从非易失性存储器件向外部主机设备发送与第一键相对应的第一值，作为第一用户数据；从外部主机设备接收包括第二键的第二KV命令；以及响应于第二KV命令，基于与第二键相对应的第二值执行第一管理操作。所述第一KV命令和所述第二KV命令是同一类型的KV命令。
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公开(公告)号：CN109753231A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810782027.9
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F16/2255 , G06F16/221 , G06F16/27
Abstract: 键值存储设备包括非易失性存储器和控制器。键值存储设备被配置为与主机通信，并且包括控制器和非易失性存储器。控制器被配置为从主机接收包括键、包括在对应于键的值中的多个组块当中的第一组块、以及对应于第一组块的第一组块索引的第一命令。控制器被配置为基于键和第一组块索引将第一组块的映射信息存储在映射表中。非易失性存储器被配置为基于映射信息存储键和第一组块。
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公开(公告)号：CN104346421A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410355607.1
申请日：2014-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06F13/28 , G06F13/4291 , Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 提供了一种改变数据传送速度的存储系统和改变数据传送速度的方法。一种存储系统的存储装置包括：装置直接存储器存取(DMA)，被构造为基于提供给DMA队列的数据的大小信息来计算数据传送量；命令管理器，被构造为从装置DMA接收数据传送量并且使用速度模式表来计算传送速度；以及装置接口，被构造为将传送速度传送给主机。
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公开(公告)号：CN112948280B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202011178478.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802 , G06F12/0882 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片，每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小，并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中，基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时，存储第一缓冲方向与映射结果，第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113126910B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110051502.7
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种包括非易失性存储器件的存储设备的操作方法，包括：从外部主机设备接收包括第一键的第一键‑值(KV)命令；响应于第一KV命令，从非易失性存储器件向外部主机设备发送与第一键相对应的第一值，作为第一用户数据；从外部主机设备接收包括第二键的第二KV命令；以及响应于第二KV命令，基于与第二键相对应的第二值执行第一管理操作。所述第一KV命令和所述第二KV命令是同一类型的KV命令。
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公开(公告)号：CN118689380A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311545862.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种存储系统，该存储系统包括随机存取存储器、存储装置、以及控制随机存取存储器和存储装置的处理单元。多个存储装置中的每一个包括第一存储区域和第二存储区域。处理单元将分区分配给存储装置的第一存储区域。处理单元将RAID条带分配给分区，针对RAID条带中的每一个执行基于顺序逻辑地址的顺序数据的写入，并且在完成顺序数据的写入之后执行与顺序数据的写入对应的奇偶校验的写入。处理单元在执行顺序数据的写入的同时将与奇偶校验对应的中间奇偶校验写入存储装置之中的至少一个存储装置的第二存储区域中。
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公开(公告)号：CN112988057A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011318344.9
申请日：2020-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储装置、存储系统及其操作方法，其中，所述存储装置将多个键和分别与所述多个键对应的多个值分开，并管理所述多个键和分别与所述多个键对应的所述多个值，并且包括：第一控制器，处理第一键和与第一键对应的第一值；第二控制器，处理第二键和与第二键对应的第二值；和非易失性存储器，存储第一键、第二键、第一值以及第二值，其中，第一键包括关于与用于在第一值之后处理的第二值的处理核有关的第二控制器的信息。
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公开(公告)号：CN109683806A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811211170.9
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴相允
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/0632 , G06F3/0634 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06N3/04 , G06N5/003 , G06N20/00 , G06N20/20 , G06F3/0607 , G06F3/0644 , G06F3/0653 , G11C5/141
Abstract: 一种存储装置包括非易失性存储器装置、控制器、处理器和存储器接口。所述非易失性存储器装置包括用于存储多个基于机器学习的模型的第一存储器区块和用于存储用户数据的第二存储器区块。所述控制器基于模型选择请求选择基于机器学习的模型的其中之一。所述处理器加载与所选择的模型相关联的模型数据，并基于所选择的模型调度与非易失性存储器装置相关联的任务。存储器接口基于调度的任务存取非易失性存储器装置的第二存储器区块。也提供一种存储装置的操作方法和包括存储装置的计算系统。
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