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公开(公告)号：CN112310064A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010431111.3
申请日：2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装件；第二封装件，所述第二封装件位于所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件；填充部件，所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间；第一通孔，所述第一通孔穿透所述第二封装基板，所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二模制部件，所述第二通孔连接到所述第一通孔，其中，所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。
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公开(公告)号：CN111341757B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201911233644.4
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 本公开提供了制造半导体封装的方法和半导体封装。一种制造半导体封装的方法包括：制备面板封装，该面板封装包括再分布基板、连接基板和多个下半导体芯片；切割面板封装以形成彼此分离的多个条带封装，每个条带封装包括被切割的再分布基板、所述多个下半导体芯片中的至少两个、以及被切割的连接基板；以及在所述多个条带封装中的一个上提供多个上半导体芯片以将所述多个上半导体芯片电连接到被切割的连接基板。
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公开(公告)号：CN112310064B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010431111.3
申请日：2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装件；第二封装件，所述第二封装件位于所述第一封装件上，所述第二封装件包括第二封装基板、位于所述第二封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片以及位于所述第二封装基板上并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的第二模制部件；填充部件，所述填充部件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间；第一通孔，所述第一通孔穿透所述第二封装基板，所述第一通孔位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间；第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二模制部件，所述第二通孔连接到所述第一通孔，其中，所述填充部件具有设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的延伸部。
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公开(公告)号：CN116031228A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210989663.5
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/538 , H10B80/00 , H01L25/065
Abstract: 半导体器件可以包括：衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中，第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻，而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。
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公开(公告)号：CN111341757A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911233644.4
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 本公开提供了制造半导体封装的方法和半导体封装。一种制造半导体封装的方法包括：制备面板封装，该面板封装包括再分布基板、连接基板和多个下半导体芯片；切割面板封装以形成彼此分离的多个条带封装，每个条带封装包括被切割的再分布基板、所述多个下半导体芯片中的至少两个、以及被切割的连接基板；以及在所述多个条带封装中的一个上提供多个上半导体芯片以将所述多个上半导体芯片电连接到被切割的连接基板。
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