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公开(公告)号：CN100552924C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610144800.6
申请日：2006-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/0016 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及制造方法，其中薄膜晶体管的特性可以被提高。所述显示装置的制造方法包括：在绝缘衬底上形成包括栅电极的多条栅布线；形成电极层，该电极层包括彼此分开的源电极和漏电极以在夹置于它们之间的栅电极上界定沟道区；在电极层上形成具有第一开口的第一阻挡壁，第一开口用于暴露沟道区、源电极的一部分和漏电极的一部分，第一阻挡壁具有表面；形成屏蔽膜来覆盖第一开口内的沟道区；处理第一阻挡壁的所述表面；去除屏蔽膜；在第一开口内形成有机半导体层。
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公开(公告)号：CN101123265A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140400.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置。绝缘层包含具有含氟化合物的丙烯酸感光树脂。本发明公开了制造上述薄膜晶体管阵列面板的方法。
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公开(公告)号：CN1988204A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610170018.1
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴俊鹤
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/5206 , H01L51/5287
Abstract: 本发明涉及一种OLED、一种制造该OLED的方法、以及一种具有该OLED的OLED显示器，该OLED包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及置于第一电极与第二电极之间的发光件，其中，第一电极、第二电极、及发光件形成具有同轴结构的线性发光体。
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公开(公告)号：CN1988204B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200610170018.1
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴俊鹤
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/5206 , H01L51/5287
Abstract: 本发明涉及一种OLED、一种制造该OLED的方法、以及一种具有该OLED的OLED显示器，该OLED包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及置于第一电极与第二电极之间的发光件，其中，第一电极、第二电极、及发光件形成具有同轴结构的线性发光体。
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公开(公告)号：CN1905233B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200610108116.2
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；源极和漏极，它们形成在绝缘基板上并且彼此分离，并且在它们之间具有沟道区；壁，所述壁分别暴露至少部分源极和漏极，环绕沟道区和由含氟聚合物形成；和在壁内部形成的有机半导体层。因此本发明提供其中有机半导体层被平面化的TFT基板。此外，本发明还提供制备有机半导体层被平面化的TFT基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101041720A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710086742.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08J5/18 , C08F2/44 , C08F4/04 , C08F4/32 , C08F20/14 , C08F12/08 , C08F12/36 , C08L79/00 , C08L79/02 , C08L65/00 , G02F1/1333 , C08L33/12 , C08L25/06
CPC classification number: H01B1/20 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02F1/13439 , H01B1/124 , H01L27/3244 , H01L51/5206 , H01L2251/5369
Abstract: 一种制备导电透明材料的方法，包括：提供纳米颗粒，其包括具有导电聚合物的核和包围该核的至少一部分并且包含第一透明聚合物的壳；通过混合包括第二透明聚合物和纳米颗粒的基剂粉末而提供混合物；以及通过压制该混合物而形成导电网络，其中所述核彼此连通(接触)。因此，本发明提供了高度导电和透明的导电透明材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN1905234A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610101696.2
申请日：2006-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴俊鹤
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244 , H01L51/0035 , Y10T428/1397
Abstract: 本发明提供一种制备显示器件的方法，由此制备的显示器件，及由此制备的薄膜晶体管衬底。在一个实施例中，该方法包括提供具有至少一个管孔的模板，及通过提供气相有机物在管孔中生成一维纳米材料。有利的是，容易调控多层的壁厚和形成。
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公开(公告)号：CN1937276A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610138902.7
申请日：2006-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的有机半导体层；源极；和漏极，其中所述源极和所述漏极夹置于所述绝缘基板和所述有机半导体层之间，且从彼此分开以在其之间界定沟道区，所述沟道区偏置于其中形成所述有机半导体层的区域的一侧。
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公开(公告)号：CN1909260A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610099327.4
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533
Abstract: 本申请涉及一种显示装置，包括：绝缘基板；源电极和漏电极，在绝缘基板上，并被沟道区隔开；有机半导体层，在沟道区内以及在源电极的至少一部分和漏电极的至少一部分上形成；以及自组装单层，具有设置在有机半导体层和源电极之间的第一部分和设置在有机半导体层和漏电极之间的第二部分，以减小电极和有机半导体层之间的接触电阻。因此，本发明的实施例提供了包括性能增强的TFT的显示装置。
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公开(公告)号：CN1905233A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108116.2
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；源极和漏极，它们形成在绝缘基板上并且彼此分离，并且在它们之间具有沟道区；壁，所述壁分别暴露至少部分源极和漏极，环绕沟道区和由含氟聚合物形成；和在壁内部形成的有机半导体层。因此本发明提供其中有机半导体层被平面化的TFT基板。此外，本发明还提供制备有机半导体层被平面化的TFT基板。
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