公开(公告)号：CN116896881A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310361496.4

申请日：2023-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范书 ,  金成吉 ,  卢知训

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体存储器件，包括：衬底，包括由元件隔离层限定的有源区；位线，在衬底上沿第一方向延伸；存储接触部，在位线的两侧中的每一侧上，并连接到有源区；存储焊盘，在存储接触部上，并连接到存储接触部；以及信息存储部分，在存储焊盘上，并连接到存储焊盘，其中，存储接触部包括下存储接触部和在下存储接触部上的上存储接触部，下存储接触部的至少一部分在衬底中，下存储接触部的整个上表面与上存储接触部的整个下表面接触，并且下存储接触部和上存储接触部中的每一个包括半导体材料。

公开(公告)号：CN116896879A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310347388.1

申请日：2023-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢知训 ,  金范书 ,  金成吉

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括衬底上由元件隔离层限定的有源区；字线，与有源区交叉并沿第一方向延伸；位线，在衬底上与有源区交叉并沿第二方向延伸；以及位线接触部，直接连接到位线和有源区。位线接触部可以在衬底与位线之间。位线接触部可以包括下位线接触部和上位线接触部，下位线接触部直接连接到有源区，上位线接触部在下位线接触部上并与下位线接触部接触。下位线接触部的上表面在第二方向上的宽度可以大于上位线接触部的下表面在第二方向上的宽度。