公开(公告)号：CN118363522A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311591945.0

申请日：2023-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千大成 ,  吴泳录

IPC: G06F3/06 ,  G06F13/16 ,  G06F12/02

Abstract: 公开了一种存储设备，该存储设备包括非易失性存储器设备、温度传感器和从温度传感器接收温度信息的存储控制器。多个存储器块中的每个被分配给多个区域中的一个，并且存储控制器执行第一区域重新分配操作，以将具有更低温度的非易失性存储器设备的块重新分配给具有更高命中率的区域，并且将具有更高温度的非易失性存储器设备的块重新分配给具有更低命中率的区域。存储控制器基于区域的命中率信息执行第一区域评级以生成第一表，基于温度信息执行第一存储器评级以生成第二表，并且基于第一表和第二表执行第一区域重新分配操作。

公开(公告)号：CN115719599A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202210791034.1

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德洙 ,  千大成 ,  孔道一

IPC: G11B33/14

Abstract: 提供执行性能调整操作的存储器系统。一种存储器系统包括：基底；第一存储器封装件，安装在基底上并且包括多个第一非易失性存储器(NVM)；第二存储器封装件，安装在基底上并且包括多个第二NVM，以及存储器控制器，配置为：基于基底的温度，提高所述多个第一NVM中的至少一个的性能，并且使所述多个第二NVM中的至少一个的性能下降。