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公开(公告)号：CN103854699B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201310606617.3
申请日：2013-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器及其操作方法以及计算装置。所述非易失性存储器包括多个存储体、逻辑控制器和多个读写（RW）电路。每一个存储体包括多个存储器单元。逻辑控制器包括分别对应于所述多个存储体的多个存储单元，且被构造为基于存储在各个存储单元中的模式信息来将写使能信号和读使能信号输出给各个存储体。RW电路分别与存储体连接，且被构造为响应于各个存储体的写使能信号和读使能信号来独立地启用或禁用个存储体的写操作和读操作。在模式信息被存储在各个存储单元之后的初始状态中，无论在相应的存储单元中存储的模式信息如何，逻辑控制器都激活各个存储体的写使能信号和读使能信号。
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公开(公告)号：CN103854699A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310606617.3
申请日：2013-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1045 , G11C7/109 , G11C7/222 , G11C8/12 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 公开了一种非易失性存储器及其操作方法以及计算装置。所述非易失性存储器包括多个存储体、逻辑控制器和多个读写（RW）电路。每一个存储体包括多个存储器单元。逻辑控制器包括分别对应于所述多个存储体的多个存储单元，且被构造为基于存储在各个存储单元中的模式信息来将写使能信号和读使能信号输出给各个存储体。RW电路分别与存储体连接，且被构造为响应于各个存储体的写使能信号和读使能信号来独立地启用或禁用个存储体的写操作和读操作。在模式信息被存储在各个存储单元之后的初始状态中，无论在相应的存储单元中存储的模式信息如何，逻辑控制器都激活各个存储体的写使能信号和读使能信号。
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公开(公告)号：CN103578533B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310319561.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G06F9/4401 , G11C7/20 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/004 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402
Abstract: 公开了一种包括可变电阻存储器的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括可变电阻存储器；控制器，被构造为控制非易失性存储器装置。在启动操作，控制器将启动信息存储在非易失性存储器装置的可变电阻存储器中。在重新启动操作，基于与启动操作相关联的启动设置条件和与重新启动操作相关联的重新启动条件之间的比较结果，控制器使用存储在可变电阻存储器中的启动信息选择性地执行热启动操作。
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公开(公告)号：CN103578533A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310319561.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G06F9/4401 , G11C7/20 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/004 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402
Abstract: 公开了一种包括可变电阻存储器的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括可变电阻存储器；控制器，被构造为控制非易失性存储器装置。在启动操作，控制器将启动信息存储在非易失性存储器装置的可变电阻存储器中。在重新启动操作，基于与启动操作相关联的启动设置条件和与重新启动操作相关联的重新启动条件之间的比较结果，控制器使用存储在可变电阻存储器中的启动信息选择性地执行热启动操作。
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