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公开(公告)号：CN107153625B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710122824.X
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种与同步DDR协议可兼容的异步通信协议。存储器模块包括：非易失性存储器；以及与存储器控制器接合的异步存储器接口。所述异步存储器接口可使用双数据速率(DDR)存储器通道的被改变用途的引脚来将异步数据发送到所述存储器控制器。所述异步数据可以是指示所述非易失性存储器的状态的装置反馈。
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公开(公告)号：CN106126447B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201610297080.0
申请日：2016-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开控制存储装置的方法、存储器模块和存储系统。一种在不需要得知主机所应用的编码或者对主机所应用的编码进行反向工程的情况下使主机和输入/输出(I/O)通道存储装置之间能够通信的协议。可通过以与从主机接收的格式相同的编码格式发送已知值的协议训练序列并且将关联的命令/状态数据存储在存储装置中，来将控制/状态数据写入存储装置。在运行时使用这些存储的值，以执行从主机接收的编码的命令并且以主机可识别的方式将状态数据报告给主机。基于存储体的缓冲构造还将用户数据按照接收的情况存储，以保存主机特定的编码。这样有助于通过DRAM通道在主机存储器控制器和存储装置之间的用户数据交换。
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公开(公告)号：CN106126447A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610297080.0
申请日：2016-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F13/4234 , G06F13/1678
Abstract: 公开控制存储装置的方法、存储器模块和存储系统。一种在不需要得知主机所应用的编码或者对主机所应用的编码进行反向工程的情况下使主机和输入/输出(I/O)通道存储装置之间能够通信的协议。可通过以与从主机接收的格式相同的编码格式发送已知值的协议训练序列并且将关联的命令/状态数据存储在存储装置中，来将控制/状态数据写入存储装置。在运行时使用这些存储的值，以执行从主机接收的编码的命令并且以主机可识别的方式将状态数据报告给主机。基于存储体的缓冲构造还将用户数据按照接收的情况存储，以保存主机特定的编码。这样有助于通过DRAM通道在主机存储器控制器和存储装置之间的用户数据交换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106776358B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201610877643.3
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/06
Abstract: 公开一种DIMM SSD寻址性能技术。一种非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)可被安装在双列直插式存储器模块(DIMM)插槽中。NVDIMM可包括非易失性存储器。一种装置驱动器可拦截去往主机存储器控制器的针对存储器地址的请求，将所述存储器地址替换为预映射的存储器地址或预映射的存储器地址的别名，并且将预映射的存储器地址发送到主机存储器控制器，使得主机存储器控制器生成NVDIMM的目标存储器地址。
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公开(公告)号：CN106569967A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610810976.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克雷格·汉森
IPC: G06F13/16
Abstract: 公开一种双列直插式存储器模块(DIMM)固态硬盘(SSD)片上系统(SoC)及模拟方法。尽管DIMM SSD SoC不具有DIMM上的偏移，但是DIMM SSD SoC如同具有系统互连偏移和DIMM上的偏移的传统的动态随机存取存储器(DRAM)DIMM一样与主机存储器控制器进行交互操作。DIMM SSD SoC包括仿制传统的DRAM DIMM经历的并且主机存储器控制器预期的延迟或最小化系统信号完整性问题的更优延迟的可变延迟元件，从而提高最大系统速度。
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公开(公告)号：CN106569967B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610810976.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克雷格·汉森
IPC: G06F13/16
Abstract: 公开一种双列直插式存储器模块(DIMM)固态硬盘(SSD)片上系统(SoC)及模拟方法。尽管DIMM SSD SoC不具有DIMM上的偏移，但是DIMM SSD SoC如同具有系统互连偏移和DIMM上的偏移的传统的动态随机存取存储器(DRAM)DIMM一样与主机存储器控制器进行交互操作。DIMM SSD SoC包括仿制传统的DRAM DIMM经历的并且主机存储器控制器预期的延迟或最小化系统信号完整性问题的更优延迟的可变延迟元件，从而提高最大系统速度。
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公开(公告)号：CN107153625A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710122824.X
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F13/1673 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/1668 , G06F13/4239
Abstract: 提供了一种与同步DDR协议可兼容的异步通信协议。存储器模块包括：非易失性存储器；以及与存储器控制器接合的异步存储器接口。所述异步存储器接口可使用双数据速率(DDR)存储器通道的被改变用途的引脚来将异步数据发送到所述存储器控制器。所述异步数据可以是指示所述非易失性存储器的状态的装置反馈。
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公开(公告)号：CN106776358A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610877643.3
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F12/0638 , G06F12/0653
Abstract: 公开一种DIMM SSD寻址性能技术。一种非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)可被安装在双列直插式存储器模块(DIMM)插槽中。NVDIMM可包括非易失性存储器。一种装置驱动器可拦截去往主机存储器控制器的针对存储器地址的请求，将所述存储器地址替换为预映射的存储器地址或预映射的存储器地址的别名，并且将预映射的存储器地址发送到主机存储器控制器，使得主机存储器控制器生成NVDIMM的目标存储器地址。
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