公开(公告)号：CN1725448A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510091369.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  李化成 ,  上野哲 ,  李浩 ,  李承换

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种在单晶半导体上选择性形成外延半导体层的方法及其制造的半导体器件，使用主要半导体源气体和主要蚀刻气体分别在单晶半导体和非单晶半导体图案上形成单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层。使用选择性蚀刻气体移除非单晶外延半导体层。主要气体和选择性蚀刻气体交替和重复至少供应两次以便仅仅在单晶半导体上选择性形成具有预定厚度的升高的单晶外延半导体层。选择性蚀刻气体抑制在非单晶半导体图案上形成外延半导体层。

公开(公告)号：CN100359639C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200510091369.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  李化成 ,  上野哲 ,  李浩 ,  李承换

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种在单晶半导体上选择性形成外延半导体层的方法及其制造的半导体器件，使用主要半导体源气体和主要蚀刻气体分别在单晶半导体和非单晶半导体图案上形成单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层。使用选择性蚀刻气体移除非单晶外延半导体层。主要半导体源气体和主要蚀刻气体以及选择性蚀刻气体交替和重复至少供应两次以便仅仅在单晶半导体上选择性形成具有预定厚度的升高的单晶外延半导体层。选择性蚀刻气体抑制在非单晶半导体图案上形成外延半导体层。