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公开(公告)号：CN116207071A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211483155.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。
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