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公开(公告)号：CN106497569A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610796482.5
申请日：2016-08-31
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
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公开(公告)号：CN106873319A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610685935.7
申请日：2016-08-18
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含：15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。
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公开(公告)号：CN108203827A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711373532.X
申请日：2017-12-19
IPC: C23F1/18 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: C23F1/18 , H01L21/28008 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L29/4232
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
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公开(公告)号：CN107403805A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710146376.7
申请日：2017-03-13
Applicant: 三星显示有限公司
Inventor： 郑在祐
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31144 , H01L21/32 , H01L21/3205 , H01L21/469 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/78618 , H01L27/1214 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , H01L27/1259
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底、设置在基底上的半导体层、与半导体层叠置的源电极和漏电极、与半导体层叠置的栅电极、设置在半导体层与源电极之间的第一欧姆接触件和设置在半导体层与漏电极之间的第二欧姆接触件。半导体层包括不与源电极和漏电极叠置的沟道部分。第一欧姆接触件包括第一边缘，第二欧姆接触件包括第二边缘。第一边缘和第二边缘跨过半导体层的沟道部分面对彼此。第一欧姆接触件的第一边缘从源电极朝向沟道部分突出，第二欧姆接触件的第二边缘从漏电极朝向沟道部分突出。
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公开(公告)号：CN108203827B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201711373532.X
申请日：2017-12-19
IPC: C23F1/18 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119866149A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411420793.2
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置和用于制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、布置在衬底上并且包括至少一个发光元件的发光元件层以及布置在发光元件层上的光控制层，其中，光控制层包括布置成彼此间隔开的多个阻光膜、连接多个阻光膜中的至少两个的至少一个桥以及布置在多个阻光膜和至少一个桥之间的透光膜。
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公开(公告)号：CN115942805A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211200575.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K71/00 , H10K59/124
Abstract: 本申请提供了显示面板和制造其的方法。根据实施方式的显示面板包括基板、设置在基板上的薄膜晶体管以及电连接至薄膜晶体管的发光元件。基板包括第一树脂层、设置在第一树脂层上的第一隔离层、包括设置在第一隔离层上的下部和碳含量小于下部的碳含量的上部的第二树脂层，以及设置在第二树脂层上的第二隔离层。
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公开(公告)号：CN115643778A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210497547.1
申请日：2022-05-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/123
Abstract: 提供一种显示装置及显示装置的制造方法。所述显示装置包括：基板；半导体层，布置于所述基板上，并且包括第一晶体管的沟道及第二晶体管的沟道；第一绝缘层，布置于所述半导体层上；以及第一导电层，布置于所述第一绝缘层上，并且包括所述第一晶体管的栅极电极及所述第二晶体管的栅极电极，其中，所述第一晶体管的所述沟道及所述第二晶体管的所述沟道包括第一杂质离子，所述第一晶体管的所述沟道还包括与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。
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公开(公告)号：CN111211057B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201911148619.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/67 , H10K59/121
Abstract: 公开了显示装置及其制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。
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公开(公告)号：CN116031306A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210873238.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种晶体管基底和用于制造该晶体管基底的方法，所述晶体管基底包括：基底；半导体层，与基底叠置；以及栅电极，与半导体层叠置。半导体层包括沟道区、直接连接到沟道区的端部的导电区以及位于导电区的边缘处的边缘部分。边缘部分的碳浓度高于沟道区的碳浓度和导电区的碳浓度中的每者。
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