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公开(公告)号：CN115996602A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211263207.9
申请日：2022-10-14
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/131 , H01L27/12 , H01L21/77 , H10K71/00
Abstract: 薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法和显示装置被提供。该薄膜晶体管基板包括：基板；缓冲层，在基板上；半导体层，布置在缓冲层上，并且包括第一导电区、第二导电区和在第一导电区和第二导电区之间的沟道区；第一掺杂剂，以第一浓度被掺杂在沟道区的上部中；第二掺杂剂，以第二浓度被掺杂在沟道区的下部中，并且第二掺杂剂具有与第一掺杂剂的类型不同的类型；栅极绝缘层，覆盖半导体层；以及栅电极，在平面图中与沟道区重叠，并且设置在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN114582930A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111341917.4
申请日：2021-11-12
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了一种显示装置和用于制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基体层，包括第一表面和第二表面；多个像素，在第一表面上；以及多条第一线，在第一表面上。基体层包括：第一基体层；蚀刻停止层，在第一基体层上；多条第二线，在蚀刻停止层上；以及第二基体层，在蚀刻停止层和第二线上。第一基体层、蚀刻停止层、第二线和第二基体层顺序地堆叠，并且第一线通过第一接触孔电连接到第二线。
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公开(公告)号：CN118524729A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410086428.6
申请日：2024-01-22
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括第一衬底、第一阻挡层、第二衬底、缓冲层、第一薄膜晶体管和发光二极管，第一衬底包括聚合物树脂，第一阻挡层位于第一衬底上并且包括掺杂有离子的部分，其中该部分包括第一阻挡层的上表面，第二衬底位于第一阻挡层的上表面上并且包括聚合物树脂，缓冲层位于第二衬底上，第一薄膜晶体管位于缓冲层上，发光二极管电连接到第一薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN118471983A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410053380.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示装置及其制造方法。显示装置包括：发光器件；第一晶体管，第一晶体管输出施加到发光器件的驱动电流；第二晶体管，第二晶体管将数据电压传输到第一晶体管的第一电极；以及第三晶体管，第三晶体管电连接到第一晶体管的第二电极和栅电极，第一晶体管的第一半导体层包括氟离子，第三晶体管的第三半导体层包括顺序设置的第三下掺杂层和第三上掺杂层，第三下掺杂层的磷离子的浓度大于第三上掺杂层的磷离子的浓度，并且第三上掺杂层的硼离子的浓度大于第三下掺杂层的硼离子的浓度。
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公开(公告)号：CN114156162A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111049275.0
申请日：2021-09-08
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 实施方式提供了多晶硅层的制造方法和显示装置，该多晶硅层的制造方法包括：在基板上形成第一非晶硅层；将N‑型杂质掺杂至第一非晶硅层中；在N‑掺杂的第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；将P‑型杂质掺杂至第二非晶硅层中；和通过将激光束照射在N‑掺杂的第一非晶硅层和P‑掺杂的第二非晶硅层上，使N‑掺杂的第一非晶硅层和P‑掺杂的第二非晶硅层结晶，以形成多晶硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115707282A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210903753.8
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H01L27/12
Abstract: 本发明为了能够最小化泄漏电流的大小的薄膜晶体管以及具备其的显示装置，提供一种薄膜晶体管以及具备其的显示装置，所述薄膜晶体管具备：缓冲层，位于基板上；和半导体层，位于所述缓冲层上，所述半导体层包括掺杂为第一导电型并与上面相邻的第一区域、与所述第一区域隔开并掺杂为所述第一导电型且与所述上面相邻的第二区域、掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型并位于所述第一区域下方的第三区域和掺杂为所述第二导电型并位于所述第二区域下方的第四区域。
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公开(公告)号：CN114724935A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111548615.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/316 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法。一种多晶硅层的制造方法包括如下步骤：在基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层掺杂杂质；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层；利用添加有氢的去离子水冲洗所述非晶硅层；以及向所述非晶硅层照射激光束而形成多晶硅层。
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公开(公告)号：CN112309844A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010705073.6
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L21/268 , H01S3/067 , H01S3/115
Abstract: 本公开提供了一种激光退火设备以及一种制造具有多晶硅层的基底的方法。所述激光退火设备包括：激光束源，所述激光束源发射线性偏振激光束；多面镜，所述多面镜围绕旋转轴旋转并反射从所述激光束源发射的所述线性偏振激光束；第一克尔盒，所述第一克尔盒设置在所述激光束源与所述多面镜之间的激光束路径上；以及第一光学元件，所述第一光学元件将由所述多面镜反射的所述线性偏振激光束朝向非晶硅层引导，其中，所述线性偏振激光束照射到所述非晶硅层上。
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公开(公告)号：CN111834411A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010294628.2
申请日：2020-04-15
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 公开了显示面板及用于制造显示面板的方法，所述显示面板包括基底衬底、位于基底衬底上的电路层以及位于电路层上的显示元件层，其中，电路层包括位于基底衬底上并包含硼和氟的有源层、位于有源层上的控制电极以及位于有源层与控制电极之间的控制电极绝缘层，其中，有源层包括核心层和表面层，核心层中硼的浓度大于氟的浓度；表面层位于核心层上并且表面层中氟的浓度大于硼的浓度。
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公开(公告)号：CN117747622A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311205935.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括衬底、在衬底上的缓冲层、在缓冲层上的第一半导体层、在第一半导体层上的第一栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层上的第一金属层、在第一金属层上的第二栅极绝缘层、在第二栅极绝缘层上的第二金属层、在第二金属层上的第一层间绝缘层以及掺杂在第二栅极绝缘层和第一层间绝缘层中的至少一个中的第一掺杂剂。
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