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公开(公告)号：CN115410838B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211101819.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。
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公开(公告)号：CN115440510A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211110322.2
申请日：2022-09-13
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法。首先采用活化溶液对含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行浸泡处理，得到一种由纳米线阵列和纳米片共同构成的复合结构，其中纳米片均匀填充在纳米线与纳米线之间或覆盖在纳米线阵列表面。然后对活化样品进行P掺杂处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基氢氧化物容量仅为1.36 F/cm2，活化后容量达到3.68 F/cm2，进一步P掺杂处理后最大容量可达5.46F/cm2；同时，直接对未活化的含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行相同条件的P掺杂处理，其容量仅为2.88F/cm2，说明在浸泡活化及P掺杂的协同作用下，才能获得最大的比电容。
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公开(公告)号：CN115440510B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211110322.2
申请日：2022-09-13
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法。首先采用活化溶液对含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行浸泡处理，得到一种由纳米线阵列和纳米片共同构成的复合结构，其中纳米片均匀填充在纳米线与纳米线之间或覆盖在纳米线阵列表面。然后对活化样品进行P掺杂处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基氢氧化物容量仅为1.36 F/cm2，活化后容量达到3.68 F/cm2，进一步P掺杂处理后最大容量可达5.46F/cm2；同时，直接对未活化的含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行相同条件的P掺杂处理，其容量仅为2.88F/cm2，说明在浸泡活化及P掺杂的协同作用下，才能获得最大的比电容。
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公开(公告)号：CN115410838A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211101819.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。
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