公开(公告)号：CN115410838B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202211101819.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  张谈映 ,  谭新玉 ,  王声容 ,  陈潇潇 ,  柯书龙 ,  邱勍晟

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/46 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/44

Abstract: 本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。

公开(公告)号：CN116053049A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211566423.0

申请日：2022-12-07

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  张谈映 ,  谭新玉 ,  向鹏 ,  姜礼华

IPC: H01G11/32 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备及其在超级电容器中的应用。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。

公开(公告)号：CN115410838A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211101819.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  张谈映 ,  谭新玉 ,  王声容 ,  陈潇潇 ,  柯书龙 ,  邱勍晟

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/46 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/44

Abstract: 本发明公开了一种磷、碳共修饰钴基氧化物的制备方法。首先采用浸泡法对钴基前驱体进行碳源包覆预处理，得到经过浸泡的钴基前驱体；然后采用CVD法对经过浸泡的钴基前驱体进行磷、碳共修饰处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基前驱体容量仅为1.8 F/cm2，而磷、碳共修饰处理后最大容量可达5 F/cm2，是未经处理的钴基前驱体电极容量的2.8倍。同时，仅对钴基前驱体进行碳修饰，其容量仅为2.8 F/cm2；仅对前驱体进行P修饰处理，其容量为3 F/cm2，说明在磷、碳共修饰的协同作用下，才能获得最大的比电容。