公开(公告)号：CN117699813A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311522516.8

申请日：2023-11-15

Applicant: 三峡大学

Inventor： 何雄 ,  王立峰 ,  杨凡黎 ,  陈杰 ,  易立志 ,  刘敏 ,  许云丽 ,  鲁广铎 ,  潘礼庆

IPC: C01B35/12 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明公开了一种具有室温强自发交换偏置效应的Fe3BO6材料的制备方法，先按Fe3BO6的原子百分比称取高纯度硼酸粉末和纳米级α‑Fe2O3粉末，再将两者均匀混合，然后将混合均匀的粉体样品在空气气氛下进行两步高温固相反应，其中最高反应温度控制在750℃～860℃温度范围，最后自然冷却至室温，即可得到Fe3BO6粉体材料。本发明的Fe3BO6材料的制备方法简单、成本低廉，在50 K至350 K温度段都表现出强自发交换偏置效应，尤其是在室温300 K具有强自发交换偏置效应，有利于实际技术应用。

公开(公告)号：CN116896979A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310859938.8

申请日：2023-07-13

Applicant: 三峡大学

Inventor： 何雄 ,  杨凡黎 ,  王立峰 ,  易立志 ,  许云丽 ,  鲁广铎 ,  刘敏 ,  潘礼庆

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明公开了一种基于表面电荷积累效应的具有室温负磁电阻特征的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和四个金属电极，其中两个金属电极位于所述半导体基体两端，用于提供持续的电场，另外两个金属电极为电压信号探测电极，位于所述半导体基体中间某一相同侧面；器件置于脉冲强磁场中，半导体基体内部载流子由于极强洛伦兹力作用而向所述电压信号探测电极一侧发生偏转聚集，在探测电极一侧形成强表面电荷积累效应，该效应对所述器件的磁电阻形成很强的负反馈机制，从而使得所述器件呈现出室温负磁电阻特征。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可用于实现脉冲强磁场环境下磁逻辑器件领域的应用。