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公开(公告)号：CN119125820B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411159927.X
申请日：2024-08-22
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法。在半导体材料的相同表面制备具有不同间距的多个金属电极，其中两个电极分别位于所述材料表面的两侧，在这两侧电极之上分别连接电流源的正、负极，并且将电压表的正极连接到电流源正极所连接的金属电极上，电压表的负级连接到剩余电极上。在所述半导体内形成基于局部碰撞电离的少数载流子等效注入效应，然后通过电压表测得负阻效应；基于空间电荷的非均匀分布，改变电压表的负级所连接的电极位置，使得电压表所探测区域的有效载流子浓度发生变化，实现对所探测的负阻效应的调控。本发明所涉及的调控方法连续可调、工艺简单，便于在新型多性能负阻元件集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN117699813A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311522516.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种具有室温强自发交换偏置效应的Fe3BO6材料的制备方法，先按Fe3BO6的原子百分比称取高纯度硼酸粉末和纳米级α‑Fe2O3粉末，再将两者均匀混合，然后将混合均匀的粉体样品在空气气氛下进行两步高温固相反应，其中最高反应温度控制在750℃～860℃温度范围，最后自然冷却至室温，即可得到Fe3BO6粉体材料。本发明的Fe3BO6材料的制备方法简单、成本低廉，在50 K至350 K温度段都表现出强自发交换偏置效应，尤其是在室温300 K具有强自发交换偏置效应，有利于实际技术应用。
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公开(公告)号：CN116896979A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310859938.8
申请日：2023-07-13
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面电荷积累效应的具有室温负磁电阻特征的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和四个金属电极，其中两个金属电极位于所述半导体基体两端，用于提供持续的电场，另外两个金属电极为电压信号探测电极，位于所述半导体基体中间某一相同侧面；器件置于脉冲强磁场中，半导体基体内部载流子由于极强洛伦兹力作用而向所述电压信号探测电极一侧发生偏转聚集，在探测电极一侧形成强表面电荷积累效应，该效应对所述器件的磁电阻形成很强的负反馈机制，从而使得所述器件呈现出室温负磁电阻特征。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可用于实现脉冲强磁场环境下磁逻辑器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN119125820A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411159927.X
申请日：2024-08-22
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法。在半导体材料的相同表面制备具有不同间距的多个金属电极，其中两个电极分别位于所述材料表面的两侧，在这两侧电极之上分别连接电流源的正、负极，并且将电压表的正极连接到电流源正极所连接的金属电极上，电压表的负级连接到剩余电极上。在所述半导体内形成基于局部碰撞电离的少数载流子等效注入效应，然后通过电压表测得负阻效应；基于空间电荷的非均匀分布，改变电压表的负级所连接的电极位置，使得电压表所探测区域的有效载流子浓度发生变化，实现对所探测的负阻效应的调控。本发明所涉及的调控方法连续可调、工艺简单，便于在新型多性能负阻元件集成电路中获得应用。
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