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公开(公告)号：CN114720835B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210224243.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种用于GaN功率器件的功率循环主电路，包括多条与电压源Vload并联的待测模块。所述待测模块包括微处理器、隔离电路、D/A转换电路、反相器、负反馈恒压源驱动模块、GaN器件。微处理器连接隔离电路，隔离电路分别连接D/A转换电路、反相器，D/A转换电路、反相器均连接负反馈恒压源驱动模块，负反馈恒压源驱动模块连接GaN器件。GaN器件连接测量电路，所述测量电路包括热电偶、电流传感器，热电偶、电流传感器均连接微处理器。本发明主电路采用并行老化的控制策略，即同时对多组待测模块进行老化。此电路相较于传统的功率循环电路具有老化效率高、电源利用率高、控制方法简单且各被测GaN器件的老化相互解耦和易拓展等特点。
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公开(公告)号：CN118150970A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410307117.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种适用于GaN器件的功率循环的主电路及其功率循环测试方法，包括与电流源ILoad串联的多组待测单元，所述待测单元由待测模块与开关并联组成；待测模块包括微处理器、隔离电路、第一模数转换器、第二模数转换器、电流传感器、恒压源驱动模块、温度传感器、热电偶、待测GaN器件和风扇；微处理器连接隔离电路，隔离电路分别连接第一模数转换器和第二模数转换器，第一模数转换器连接电流传感器和恒压驱动模块，第二模数转换器连接温度传感器和热电偶，恒压源驱动模块与热电偶均连接待测GaN器件，微处理器通过风扇控制信号连接风扇。本发明主电路采用并行老化的控制策略，具有老化效率高、电源利用率高和控制方法简单的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114720837B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210225486.3
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN器件结温测量电路及测量方法，测量电路包括微处理器、电源模块、驱动模块、监测模块。微处理器分别连接驱动模块、监测模块，驱动模块、监测模块均连接GaN器件，电源模块分别连接驱动模块、监测模块，用于向所述驱动模块、监测模块供电。本发明的监测电路在保证器件的正常运行情况下，具有实时在线监测器件结温的潜能。该监测电路的集成度高，监测的方法易于实施，可提高GaN功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114720835A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210224243.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种用于GaN功率器件的功率循环主电路，包括多条与电压源Vload并联的待测模块。所述待测模块包括微处理器、隔离电路、D/A转换电路、反相器、负反馈恒压源驱动模块、GaN器件。微处理器连接隔离电路，隔离电路分别连接D/A转换电路、反相器，D/A转换电路、反相器均连接负反馈恒压源驱动模块，负反馈恒压源驱动模块连接GaN器件。GaN器件连接测量电路，所述测量电路包括热电偶、电流传感器，热电偶、电流传感器均连接微处理器。本发明主电路采用并行老化的控制策略，即同时对多组待测模块进行老化。此电路相较于传统的功率循环电路具有老化效率高、电源利用率高、控制方法简单且各被测GaN器件的老化相互解耦和易拓展等特点。
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公开(公告)号：CN114740323B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210224244.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，包括：微处理器，用于控制GaN器件开通与关断，还用于采集GaN器件的漏极电流IDS并计算器件结温；恒流源监测电路，用于根据微处理器的信号控制GaN器件开关，并在开通时向GaN器件提供恒定的门极电流；安装在GaN器件的管壳上的热电偶，用于测量GaN器件的壳温；电压源，用于在GaN器件的漏‑源极间给GaN器件施加电压，使GaN器件工作在有源区。本发明一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，使得在不对其进行拆卸的情况下，既能获取器件结温，同时能方便准确的监测GaN器件热阻；具备便捷简单的优点。
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公开(公告)号：CN114740323A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210224244.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，包括：微处理器，用于控制GaN器件开通与关断，还用于采集GaN器件的漏极电流IDS并计算器件结温；恒流源监测电路，用于根据微处理器的信号控制GaN器件开关，并在开通时向GaN器件提供恒定的门极电流；安装在GaN器件的管壳上的热电偶，用于测量GaN器件的壳温；电压源，用于在GaN器件的漏‑源极间给GaN器件施加电压，使GaN器件工作在有源区。本发明一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，使得在不对其进行拆卸的情况下，既能获取器件结温，同时能方便准确的监测GaN器件热阻；具备便捷简单的优点。
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公开(公告)号：CN114720837A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210225486.3
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN器件结温测量电路及测量方法，测量电路包括微处理器、电源模块、驱动模块、监测模块。微处理器分别连接驱动模块、监测模块，驱动模块、监测模块均连接GaN器件，电源模块分别连接驱动模块、监测模块，用于向所述驱动模块、监测模块供电。本发明的监测电路在保证器件的正常运行情况下，具有实时在线监测器件结温的潜能。该监测电路的集成度高，监测的方法易于实施，可提高GaN功率半导体器件的可靠性。
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