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公开(公告)号：CN119165314A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202311467442.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率GaN器件动态导通电阻的测试系统及方法，测试系统包括：低压电源、升压电路、恒流源电路、钳位电路、驱动电路；低压电源连接升压电路；测试模组包括开关管QC，被测器件组Q1、Q2......Qn，控制管QC漏极连接升压电路一侧，控制管QC源极连接GaN器件Q1漏极，GaN器件Q1源极连接GaN器件Q2漏极，GaN器件Q2源极连接GaN器件Q3漏极，......依次类推，GaN器件Qn‑1源极连接GaN器件Qn漏极，GaN器件Qn源极接地；开关管QC的栅极、被测器件组Q1、Q2......Qn的栅极均连接驱动电路；被测器件组Q1、Q2......Qn的源极、漏极分别并联连接电阻R1、R2......Rn；被测器件组Q1、Q2......Qn连接恒流源电路；电阻R1、R2......Rn两端分别连接钳位电路，钳位电路连接数据采集系统。本发明提高测量氮化镓器件的动态导通电阻可靠性。
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公开(公告)号：CN114740323B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210224244.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，包括：微处理器，用于控制GaN器件开通与关断，还用于采集GaN器件的漏极电流IDS并计算器件结温；恒流源监测电路，用于根据微处理器的信号控制GaN器件开关，并在开通时向GaN器件提供恒定的门极电流；安装在GaN器件的管壳上的热电偶，用于测量GaN器件的壳温；电压源，用于在GaN器件的漏‑源极间给GaN器件施加电压，使GaN器件工作在有源区。本发明一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，使得在不对其进行拆卸的情况下，既能获取器件结温，同时能方便准确的监测GaN器件热阻；具备便捷简单的优点。
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公开(公告)号：CN114740323A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210224244.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，包括：微处理器，用于控制GaN器件开通与关断，还用于采集GaN器件的漏极电流IDS并计算器件结温；恒流源监测电路，用于根据微处理器的信号控制GaN器件开关，并在开通时向GaN器件提供恒定的门极电流；安装在GaN器件的管壳上的热电偶，用于测量GaN器件的壳温；电压源，用于在GaN器件的漏‑源极间给GaN器件施加电压，使GaN器件工作在有源区。本发明一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法，使得在不对其进行拆卸的情况下，既能获取器件结温，同时能方便准确的监测GaN器件热阻；具备便捷简单的优点。
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公开(公告)号：CN118150970A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410307117.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种适用于GaN器件的功率循环的主电路及其功率循环测试方法，包括与电流源ILoad串联的多组待测单元，所述待测单元由待测模块与开关并联组成；待测模块包括微处理器、隔离电路、第一模数转换器、第二模数转换器、电流传感器、恒压源驱动模块、温度传感器、热电偶、待测GaN器件和风扇；微处理器连接隔离电路，隔离电路分别连接第一模数转换器和第二模数转换器，第一模数转换器连接电流传感器和恒压驱动模块，第二模数转换器连接温度传感器和热电偶，恒压源驱动模块与热电偶均连接待测GaN器件，微处理器通过风扇控制信号连接风扇。本发明主电路采用并行老化的控制策略，具有老化效率高、电源利用率高和控制方法简单的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114720835B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210224243.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种用于GaN功率器件的功率循环主电路，包括多条与电压源Vload并联的待测模块。所述待测模块包括微处理器、隔离电路、D/A转换电路、反相器、负反馈恒压源驱动模块、GaN器件。微处理器连接隔离电路，隔离电路分别连接D/A转换电路、反相器，D/A转换电路、反相器均连接负反馈恒压源驱动模块，负反馈恒压源驱动模块连接GaN器件。GaN器件连接测量电路，所述测量电路包括热电偶、电流传感器，热电偶、电流传感器均连接微处理器。本发明主电路采用并行老化的控制策略，即同时对多组待测模块进行老化。此电路相较于传统的功率循环电路具有老化效率高、电源利用率高、控制方法简单且各被测GaN器件的老化相互解耦和易拓展等特点。
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公开(公告)号：CN114720836A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210225470.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，监测电路包括微处理器、恒压源单元、GaN模块。微处理器，用于控制GaN模块开通与关断，还用于采集GaN模块的漏极电流，并根据K曲线计算器件结温；恒压源单元，用于向开通时的GaN模块提供恒定栅极电压。本发明一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，通过对结温、壳温和热特性衰退的监测，辨别监测GaN模块的散热性能的变化，从而评估GaN模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN119125815A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311460114.X
申请日：2023-11-03
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路及监测方法，在GaN器件开通时注入恒定的漏极电流，通过提取器件的漏源电压实现动态导通电阻的监测。该测量电路包含隔离电源单元、常规驱动单元、电流输出单元、触发单元、采样单元、调节单元、钳位电路单元共七个部分。当被测器件DUT处于高压阻断状态时，电流输出单元不输出电流，钳位电路单元输出为保护低压信号；当被测器件DUT导通时，电流输出单元将电流注入被测器件DUT，此时钳位电路单元反映被测器件DUT的导通电压，进而获得GaN器件的动态导通电阻。本发明具有结构简单、设计成本低、测量精度高等优势。
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公开(公告)号：CN114720836B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210225470.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，监测电路包括微处理器、恒压源单元、GaN模块。微处理器，用于控制GaN模块开通与关断，还用于采集GaN模块的漏极电流，并根据K曲线计算器件结温；恒压源单元，用于向开通时的GaN模块提供恒定栅极电压。本发明一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法，通过对结温、壳温和热特性衰退的监测，辨别监测GaN模块的散热性能的变化，从而评估GaN模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN114720835A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210224243.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种用于GaN功率器件的功率循环主电路，包括多条与电压源Vload并联的待测模块。所述待测模块包括微处理器、隔离电路、D/A转换电路、反相器、负反馈恒压源驱动模块、GaN器件。微处理器连接隔离电路，隔离电路分别连接D/A转换电路、反相器，D/A转换电路、反相器均连接负反馈恒压源驱动模块，负反馈恒压源驱动模块连接GaN器件。GaN器件连接测量电路，所述测量电路包括热电偶、电流传感器，热电偶、电流传感器均连接微处理器。本发明主电路采用并行老化的控制策略，即同时对多组待测模块进行老化。此电路相较于传统的功率循环电路具有老化效率高、电源利用率高、控制方法简单且各被测GaN器件的老化相互解耦和易拓展等特点。
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