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公开(公告)号：CN117270314A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311217958.1
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , C01B32/168 , C01B32/17 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN116609996A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310651908.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上。
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公开(公告)号：CN115398334A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180027875.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN115398334B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202180027875.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN116594258A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310652861.7
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述碳纳米管片具有面内取向的所述捆彼此缠绕的网状结构，该网状结构具有基于以特定观察倍率拍摄的特定范围的SEM图像或AFM图像观察到的、3根以上的捆缠绕而连结的捆的连结点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116594257A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310652312.X
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上，上述防护膜具有50％以上的透射率。
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公开(公告)号：CN109416503A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038819.9
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/162
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、半导体装置的制造方法。一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向。
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公开(公告)号：CN117270313A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311217869.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/168 , C01B32/17 , B82Y40/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN109416503B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780038819.9
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/162
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、半导体装置的制造方法。一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向。
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公开(公告)号：CN119816782A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380061968.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本公开中，异物去除装置具备：产生真空紫外光的真空紫外光产生部；用于对防护膜照射所述真空紫外光的照射容器；以及向所述照射容器供给非活性气体的气体供给部。所述照射容器具有：照射室，其设置有用于供给所述非活性气体的气体供给口和用于排出所述非活性气体的气体排出口；透过部，其位于所述照射室的边界处，使所述真空紫外光透过；和载台，其配置于所述照射室内且用于载置所述防护膜。所述气体供给部与所述气体供给口连接。
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