公开(公告)号：CN1204604C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN03100405.9

申请日：2003-01-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 福本英树 ,  小清水孝信 ,  片冈真 ,  才本芳久

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明提供一种即使将半导体晶片厚度薄层化到150微米以下，也能防止晶片翘曲，能在晶片不破损的条件下容易将其剥离的半导体晶片表面保护用粘结膜。一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜至少含有一层具有下记特性A、特性B或特性C中至少一个特性的层。特性A：18～50℃全温度范围内储藏弹性模数为1×109～1×1010Pa的高弹性模数特性(A)；特性B：50～90℃范围内至少部分温度区域储藏弹性模数处于1×108Pa以下的高弹性模数特性(B)；特性C：23℃和90%RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～5%的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。

公开(公告)号：CN100477100C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510002444.X

申请日：2005-01-20

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小清水孝信 ,  片冈真 ,  宫川诚史 ,  福本英树 ,  才本芳久

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法及用于该保护方法的半导体晶片保护用粘着膜。该保护方法具备把在基材膜的一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。通过该半导体晶片保护方法，即使对半导体晶片进行薄层化至厚度小于等于150μm左右，也能够矫正半导体晶片的翘曲，防止晶片输送时的破损。

公开(公告)号：CN1649099A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510002444.X

申请日：2005-01-20

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小清水孝信 ,  片冈真 ,  宫川诚史 ,  福本英树 ,  才本芳久

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法及用于该保护方法的半导体晶片保护用粘着膜。该保护方法具备把在基材膜的一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。通过该半导体晶片保护方法，即使对半导体晶片进行薄层化至厚度小于等于150μm左右，也能够矫正半导体晶片的翘曲，防止晶片输送时的破损。

公开(公告)号：CN1431682A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03100405.9

申请日：2003-01-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 福本英树 ,  小清水孝信 ,  片冈真 ,  才本芳久

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明提供一种即使将半导体晶片厚度薄层化到150微米以下，也能防止晶片翘曲，能在晶片不破损的条件下容易将其剥离的半导体晶片表面保护用粘结膜。一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜至少含有一层具有下记要件A、要件B或要件C中至少一个要件的层。要件A：18～50℃全温度范围内储藏弹性模数为1×109～1×1010Pa的高弹性模数特性(A)；要件B：50～90℃范围内至少部分温度区域储藏弹性模数处于1×108Pa以下的高弹性模数特性(B)；要件C：23℃和90％RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～5％的吸收膨胀性高弹性模数特性(C)。