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    部件制造装置及部件制造方法
    1.
    发明授权
    部件制造装置及部件制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110770892B

    公开(公告)日：2024-02-23

    申请号：CN201880041711.X

    申请日：2018-05-30

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L23/12

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够将部件保持膜在加热下正常地吸附固定于卡盘台的部件制造装置和部件制造方法，本部件制造装置1具备：在经加热的吸附面21a上吸附固定部件保持膜的吸附固定单元20、以及阻止在吸附面21a产生的热对流撞击部件保持膜的阻止单元30。本部件制造方法具备在经加热的吸附面21a上吸附固定部件保持膜的设置工序，设置工序包含阻止在吸附面21a产生的热对流撞击部件保持膜的阻止工序。

    部件制造用具及部件制造方法
    2.
    发明授权
    部件制造用具及部件制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110622295B

    公开(公告)日：2023-11-03

    申请号：CN201880030718.1

    申请日：2018-05-08

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司

    IPC: H01L21/683 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

    Abstract: 本发明的目的是提供即使在加热环境下也能够吸附于卡盘台的部件制造用具以及部件制造方法，部件制造用具(1)具有框体(10)和覆盖开口部(10h)的保持膜(20)，框体(20)具备第1框(11)和第2框(12)，保持膜(20)具备基层(21)和设置在一面侧的保持层(22)，且以延伸状态被第1框(11)与第2框(12)夹着而保持，基层(21)的弹性模量E’(100℃)与弹性模量E’(25℃)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。该部件制造方法具备下述工序：部件保持工序，将部件保持于部件制造用具1的保持层(22)；以及吸附工序，将进行了保持的保持膜吸附固定于经加热的卡盘台的表面。

    部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法
    3.
    发明授权
    部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110235236B

    公开(公告)日：2023-06-30

    申请号：CN201880008938.4

    申请日：2018-01-26

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司 ,  高桥宏和 ,  福良和秀

    IPC: H01L21/683 ,  B32B15/08 ,  B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  C09J7/20 ,  H01L21/301

    Abstract: 本发明的目的在于提供具有能在不同工序间通用的通用性并且在加热环境下能可靠地吸附于卡盘台的部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法，本发明的膜(1)具有第1区域S1和包围区域S1而配置的第2区域S2，区域S1由基层11和设置在其一面侧的粘着材层12形成，区域S2由基层11和粘着材层12、以及贴附在层12上的附加层13形成，在温度190℃以下的范围，附加层13的拉伸弹性模量大于或等于基层11的拉伸弹性模量。本发明的方法具备部件固定工序、以区域S1与区域S2的边界位于与卡盘台端缘相比靠内侧的方式进行载置的膜载置工序、吸附工序以及加热工序。

    半导体装置的制造方法
    4.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109075085B

    公开(公告)日：2022-04-05

    申请号：CN201780021681.1

    申请日：2017-03-27

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。所述工序为：工序(A)，准备第1结构体(100)，所述第1结构体(100)具备依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性层叠膜(50)、以及粘贴于粘着性树脂层(30)上且具有第1端子(65)的第1半导体部件(60)；工序(B)，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，对第1结构体(100)进行回流焊处理；工序(C)，在工序(B)之后，将耐热性树脂层(10)从粘着性层叠膜(50)剥离。

    部件制造用具及部件制造方法
    5.
    发明公开
    部件制造用具及部件制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110622295A

    公开(公告)日：2019-12-27

    申请号：CN201880030718.1

    申请日：2018-05-08

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司

    IPC: H01L21/683 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

    Abstract: 本发明的目的是提供即使在加热环境下也能够吸附于卡盘台的部件制造用具以及部件制造方法，部件制造用具(1)具有框体(10)和覆盖开口部(10h)的保持膜(20)，框体(20)具备第1框(11)和第2框(12)，保持膜(20)具备基层(21)和设置在一面侧的保持层(22)，且以延伸状态被第1框(11)与第2框(12)夹着而保持，基层(21)的弹性模量E’(100℃)与弹性模量E’(25℃)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。该部件制造方法具备下述工序：部件保持工序，将部件保持于部件制造用具1的保持层(22)；以及吸附工序，将进行了保持的保持膜吸附固定于经加热的卡盘台的表面。

    半导体部件制造用膜
    7.
    发明授权
    半导体部件制造用膜 有权

    公开(公告)号：CN107851602B

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201680036275.8

    申请日：2016-06-14

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/301 ,  C09J7/25 ,  C09J201/00

    Abstract: 本发明提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序、拾取工序的半导体部件制造用膜、半导体部件的制造方法、半导体部件以及评价方法。即，半导体部件制造用膜1具备基层11和设于其一面侧的粘着材层12，基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与‑40℃时的弹性模量E’(‑40)之比RE(＝E’(160)/E’(‑40))为RE≥0.01，并且E’(‑40)为10MPa以上且小于1000MPa。本方法具备：将粘着材层12粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的工序、将半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的工序、以及将半导体部件从粘着材层12分离的拾取工序，在拾取工序前，具备对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。

    部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法
    8.
    发明公开
    部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110235236A

    公开(公告)日：2019-09-13

    申请号：CN201880008938.4

    申请日：2018-01-26

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司 ,  高桥宏和 ,  福良和秀

    IPC: H01L21/683 ,  B32B15/08 ,  B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  C09J7/20 ,  H01L21/301

    Abstract: 本发明的目的在于提供具有能在不同工序间通用的通用性并且在加热环境下能可靠地吸附于卡盘台的部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法，本发明的膜(1)具有第1区域S1和包围区域S1而配置的第2区域S2，区域S1由基层11和设置在其一面侧的粘着材层12形成，区域S2由基层11和粘着材层12、以及贴附在层12上的附加层13形成，在温度190℃以下的范围，附加层13的拉伸弹性模量大于或等于基层11的拉伸弹性模量。本发明的方法具备部件固定工序、以区域S1与区域S2的边界位于与卡盘台端缘相比靠内侧的方式进行载置的膜载置工序、吸附工序以及加热工序。

    半导体装置的制造方法
    9.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109075045A

    公开(公告)日：2018-12-21

    申请号：CN201780021670.3

    申请日：2017-03-27

    Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

    Inventor： 林下英司

    IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下4个工序。(A)工序，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备：依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性叠层膜(50)，以及粘贴于粘着性树脂层(30)上的1或2个以上的半导体芯片(70)；(B)工序，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，确认半导体芯片(70)的动作；(C)工序，在工序(B)之后，从粘着性叠层膜(50)剥离耐热性树脂层(10)；(D)工序，在工序(C)之后，从粘着性树脂层(30)拾取半导体芯片(70)。

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