公开(公告)号：CN110461590B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880021193.5

申请日：2018-03-28

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 甲田千佳子 ,  柴田辰也 ,  福田和幸 ,  内田隆 ,  小田川健二 ,  田原修二 ,  铃木信悟 ,  的场太辅 ,  新川祥光 ,  守屋英一 ,  野本晃

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B7/02 ,  B32B7/027 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B33/00 ,  B65D65/40

Abstract: 本发明的阻隔性层叠膜(100)依次具备基材层(101)、应力缓和层(102)、无机物层(103)、和阻隔性树脂层(104)。而且，阻隔性树脂层(104)包含多元羧酸与多胺的酰胺交联物，应力缓和层(102)包含在主链上具有芳香族环结构的聚氨酯系树脂。

公开(公告)号：CN113226762A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085412.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 小田川健二 ,  铃木信悟 ,  守屋英一

IPC: B32B27/34 ,  C08G69/26

Abstract: 气体阻隔性聚合物是将包含多元羧酸及多胺化合物的混合物加热固化而形成的，红外吸收光谱中，将连接1493cm‑1处的测定点与1780cm‑1处的测定点的直线设定为基线，将1660cm‑1处的吸收强度记为I(1660)，将1625cm‑1处的吸收强度记为I(1625)时，下述式(1)表示的R大于1。R＝I(1660)/I(1625)‑{‑0.65×(全部胺/COOH)+0.4225}(1)。

公开(公告)号：CN113226762B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201980085412.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 小田川健二 ,  铃木信悟 ,  守屋英一

IPC: B32B27/34 ,  C08G69/26

Abstract: 气体阻隔性聚合物是将包含多元羧酸及多胺化合物的混合物加热固化而形成的，红外吸收光谱中，将连接1493cm‑1处的测定点与1780cm‑1处的测定点的直线设定为基线，将1660cm‑1处的吸收强度记为I(1660)，将1625cm‑1处的吸收强度记为I(1625)时，下述式(1)表示的R大于1。R＝I(1660)/I(1625)‑{‑0.65×(全部胺/COOH)+0.4225}(1)。

公开(公告)号：CN110461590A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880021193.5

申请日：2018-03-28

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 甲田千佳子 ,  柴田辰也 ,  福田和幸 ,  内田隆 ,  小田川健二 ,  田原修二 ,  铃木信悟 ,  的场太辅 ,  新川祥光 ,  守屋英一 ,  野本晃

IPC: B32B9/00 ,  B32B7/02 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B65D65/40

Abstract: 本发明的阻隔性层叠膜(100)依次具备基材层(101)、应力缓和层(102)、无机物层(103)、和阻隔性树脂层(104)。而且，阻隔性树脂层(104)包含多元羧酸与多胺的酰胺交联物，应力缓和层(102)包含在主链上具有芳香族环结构的聚氨酯系树脂。

公开(公告)号：CN104379340B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380026125.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 福本晴彦 ,  小田川健二 ,  臼井英夫 ,  高桥英一 ,  高木斗志彦 ,  高野雅子 ,  中村修 ,  进藤清孝

IPC: B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  H01L31/048 ,  B32B37/18

Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C)，含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5％以下及/或室温23℃下的相对湿度为30％以下的条件下，对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射，将该膜的至少一部分改性而形成的。

公开(公告)号：CN104379340A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380026125.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 三井化学株式会社 ,  三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 福本晴彦 ,  小田川健二 ,  臼井英夫 ,  高桥英一 ,  高木斗志彦 ,  高野雅子 ,  中村修 ,  进藤清孝

IPC: B32B9/00 ,  B32B27/00 ,  B32B37/00 ,  H01L31/048

Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C)，含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5％以下及/或室温23℃下的相对湿度为30％以下的条件下，对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射，将该膜的至少一部分改性而形成的。