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公开(公告)号:CN104379340B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201380026125.5
申请日:2013-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B32B27/08 , B32B27/28 , H01L31/048 , B32B37/18
Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C),含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5%以下及/或室温23℃下的相对湿度为30%以下的条件下,对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射,将该膜的至少一部分改性而形成的。
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公开(公告)号:CN104379340A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380026125.5
申请日:2013-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 三井化学东赛璐株式会社
IPC: B32B9/00 , B32B27/00 , B32B37/00 , H01L31/048
Abstract: 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C),含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5%以下及/或室温23℃下的相对湿度为30%以下的条件下,对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射,将该膜的至少一部分改性而形成的。
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