公开(公告)号：CN107750386B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201680038179.7

申请日：2016-07-01

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 镰田润 ,  川崎登 ,  宇杉真一 ,  助川诚 ,  木下仁 ,  五十岚康二 ,  森本哲光

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/04 ,  C09J201/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护膜依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。

公开(公告)号：CN105981137B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201580007736.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 助川诚 ,  木下仁 ,  田原修二

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J5/06 ,  C09J7/25 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00

CPC classification number: C09J133/068 ,  C08K5/0025 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J133/066 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2479/086 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  C08F2220/1808 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/325

Abstract: 本发明是一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有聚酰亚胺基材以及热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。

公开(公告)号：CN107750386A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201680038179.7

申请日：2016-07-01

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 镰田润 ,  川崎登 ,  宇杉真一 ,  助川诚 ,  木下仁 ,  五十岚康二 ,  森本哲光

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/04 ,  C09J201/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  C09J133/10 ,  C09J201/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体晶片表面保护膜，其可良好地追随于半导体晶片的电路形成面的凹凸而贴附、且即便经过高温工序的情形时也可抑制剥离时的晶片的破裂、残胶。本发明的半导体晶片表面保护膜依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。

公开(公告)号：CN105981137A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007736.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 助川诚 ,  木下仁 ,  田原修二

IPC: H01L21/304 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J5/06 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00

CPC classification number: C09J133/068 ,  C08K5/0025 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J133/066 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2479/086 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  C08F2220/1808 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/325

Abstract: 本发明是一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有聚酰亚胺基材以及热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。