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公开(公告)号：CN102634762B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210092080.9
申请日：2012-02-10
Applicant: SPTS技术有限公司
IPC: C23C14/22
CPC classification number: C23C14/564 , H01J37/32651
Abstract: 本发明涉及复合屏蔽。一种用于在限定工件位置16的沉积装置(11)中使用的复合屏蔽组件(10)，该组件包括：位于工件位置周围的第一屏蔽元件(13)以及绕第一元件延伸并且承载第一元件的第二屏蔽元件(14)，其中第一元件(13)的热传导率大于第二元件(14)的并且元件(13，14)紧密热接触设置。
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公开(公告)号：CN104576316B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201410667681.7
申请日：2014-09-16
Applicant: SPTS技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种预清洗半导体结构的方法及相关的模块化半导体处理工具。该方法包括步骤：i)提供具有有机介电材料的暴露的介电层的半导体结构，其中介电层具有形成于其中的一个或多个特征，该一个或多个特征暴露待被预清洗的一个或多个导电结构，其中每个导电结构都包括金属层，可选择地在金属层上形成有阻挡层，且介电层所暴露的表面积大于导电结构被介电层暴露的表面积；和ii)通过执行Ar/H2溅射刻蚀从暴露的导电结构移除材料并从暴露的介电层移除有机介电材料来预清洗半导体结构。
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公开(公告)号：CN104576316A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410667681.7
申请日：2014-09-16
Applicant: SPTS技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种预清洗半导体结构的方法及相关的模块化半导体处理工具。该方法包括步骤：i)提供具有有机介电材料的暴露的介电层的半导体结构，其中介电层具有形成于其中的一个或多个特征，该一个或多个特征暴露待被预清洗的一个或多个导电结构，其中每个导电结构都包括金属层，可选择地在金属层上形成有阻挡层，且介电层所暴露的表面积大于导电结构被介电层暴露的表面积；和ii)通过执行Ar/H2溅射刻蚀从暴露的导电结构移除材料并从暴露的介电层移除有机介电材料来预清洗半导体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102798441A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210163894.7
申请日：2012-05-24
Applicant: SPTS技术有限公司
IPC: G01F25/00
CPC classification number: G01L13/00 , G01F25/0038 , G01F25/0053 , G06F17/00
Abstract: 本发明涉及一种监视连接到压力腔室的用于向处于不受抽吸状态的所述腔室供气的质量流控制器（MFC）的方法，包括周期地切换所述MFC以为测试时段创建连续的填充周期以及在所述测试时段期间间隔地测量所述腔室压力，其特征在于，所述MFC的总切换时间为所述填充周期的至少10%，以及所述方法包括获得压力测量结果的平均值并把它们与历史数据比较以判断所述MFC是否正常运转。
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公开(公告)号：CN102646577A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035053.8
申请日：2012-02-16
Applicant: SPTS技术有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/283
CPC classification number: B29C65/56 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/541
Abstract: 本发明涉及一种沉积铝层的方法。特别地，本发明涉及在薄基材上沉积铝层或铝膜。本发明包括：将基材放置在支撑体上；将第一铝层沉积到基材上，该基材处于未固定条件；将基材固定到支撑体上，并且沉积与第一层连续的第二铝层，其中第二层比第一层厚，并且在小于22℃的基材温度下沉积第二层。
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公开(公告)号：CN102634762A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210092080.9
申请日：2012-02-10
Applicant: SPTS技术有限公司
IPC: C23C14/22
CPC classification number: C23C14/564 , H01J37/32651
Abstract: 本发明涉及复合屏蔽。一种用于在限定工件位置16的沉积装置(11)中使用的复合屏蔽组件(10)，该组件包括：位于工件位置周围的第一屏蔽元件(13)以及绕第一元件延伸并且承载第一元件的第二屏蔽元件(14)，其中第一元件(13)的热传导率大于第二元件(14)的并且元件(13，14)紧密热接触设置。
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公开(公告)号：CN102798441B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201210163894.7
申请日：2012-05-24
Applicant: SPTS技术有限公司
IPC: G01F25/00
CPC classification number: G01L13/00 , G01F25/0038 , G01F25/0053 , G06F17/00
Abstract: 本发明涉及一种监视连接到压力腔室的用于向处于不受抽吸状态的所述腔室供气的质量流控制器（MFC）的方法，包括周期地切换所述MFC以为测试时段创建连续的填充周期以及在所述测试时段期间间隔地测量所述腔室压力，其特征在于，所述MFC的总切换时间为所述填充周期的至少10%，以及所述方法包括获得压力测量结果的平均值并把它们与历史数据比较以判断所述MFC是否正常运转。
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公开(公告)号：CN102646577B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210035053.8
申请日：2012-02-16
Applicant: SPTS技术有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/283
CPC classification number: B29C65/56 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/541
Abstract: 本发明涉及一种沉积铝层的方法。特别地，本发明涉及在薄基材上沉积铝层或铝膜。本发明包括：将基材放置在支撑体上；将第一铝层沉积到基材上，该基材处于未固定条件；将基材固定到支撑体上，并且沉积与第一层连续的第二铝层，其中第二层比第一层厚，并且在小于22℃的基材温度下沉积第二层。
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