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公开(公告)号：CN101090997A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001596.0
申请日：2006-02-22
Applicant: 三井造船株式会社 , 株式会社日本微拓科技 , 长州产业株式会社
CPC classification number: C23C14/042
Abstract: 一种成膜装置的掩模对位机构和成膜装置。成膜装置的掩模对位机构是在成膜装置内配设掩模夹具(22)，在上述掩模夹具(22)承载上述掩模(26)时的成膜装置的掩模(26)对位机构，上述掩模夹具(22)是具有对应于上述掩模(26)的缘部且自上述掩模(26)的侧方被延设的延设部(22a)、以及在上述延设部(22a)被设置的嵌合销(22b)，上述掩模(26)是为具备在其上述缘部与上述掩模夹具(22)的上述嵌合销(22b)嵌合的嵌合孔(26c)的构成。
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公开(公告)号：CN101090993A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001554.7
申请日：2006-02-22
Applicant: 三井造船株式会社 , 株式会社日本微拓科技 , 长州产业株式会社
CPC classification number: C23C14/042
Abstract: 一种第一掩模夹具(20)的移动机构，是用于制造有机EL元件的成膜装置中的第一掩模夹具(20)的移动机构，包括：夹头(16)，其与有机材料(12)的蒸发源(14)相对配置，使基板与掩模(34)重合；第一掩模夹具(20)，其将前端(20a)形成钩形，以所述前端部(20a)保持重合在夹头(16)上的掩模(34)；以及伸缩机构(22)，其使所述基板夹具(18)移动，其中，所述伸缩机构(22)，其第一伸缩机构(24)配置在装置本体(11)上，并且使进行伸缩动作的第一杆与板部件(23)连接，其第二伸缩机构(26)配置在所述板部件(23)上，并且使进行伸缩动作的第二杆与所述基板夹具(18)的基端部连接或接触。
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公开(公告)号：CN1958838A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610159303.3
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社日本微拓科技
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/544 , C30B23/066
Abstract: 一种用于薄膜堆积的分子束源，其通过针形阀调节每小时排放的分子束的量，使之保持恒定而不用考虑坩锅内剩余的薄膜元件形成材料量的降低，其包括用于加热坩锅31和41内的薄膜元件形成材料“a”和“b”的加热器32和42，以及用于调节在坩锅31和41内生成的薄膜元件形成材料“a”和“b”分子的排放量的阀33和43。并且，它还包括控制装置，该装置通过关于分子束的量的反馈信息利用伺服电动机36和46调节阀33和43的开口度，该反馈信息利用检测向成膜表面排放的分子束的量的膜厚测量仪16和26获得；供应电力以将加热器32和42加热的加热电源；以及控制装置，该装置依据关于分子源的量的信息和关于阀开口度的信息调节供应至加热电源的电力。
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公开(公告)号：CN1393575A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN02124923.7
申请日：2002-06-26
Applicant: 爱美思公司 , 株式会社日本微拓科技 , 城户淳二
IPC: C23C14/24 , C30B23/02 , H01L21/203
CPC classification number: C30B23/066 , C23C14/24 , C30B23/02 , C30B29/54 , C30B29/58
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法，通过加热蒸发材料(5)、使该蒸发材料(5)熔融后蒸发，产生用于在固体表面上生长薄膜的蒸发分子。该分子束源装置具有装有蒸发材料(5)的坩埚(1)和加热装在该坩埚(1)中的上述蒸发材料(5)的加热单元，把由热和化学稳定且比上述蒸发材料(5)的导热率高的热解氮化硼(PBN)组成的导热介质与上述蒸发材料(5)一起装在上述坩埚(1)中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1789479A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510107634.8
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社日本微拓科技
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜形成的分子供应源，利用从单个蒸发源排出的分子、即使在相对宽的膜形成表面(9)上也能够形成具有高均匀性的薄膜，其具有设置成多个的导向通路(4a)、(4b)和(4c)，其中通过那些导向通路(4a)、(4b)和(4c)来控制蒸气分子的流速和定向特性；由此改善在衬底(8)的膜形成表面(9)上所形成的膜厚度的分布。利用这，膜形成材料的必要量能达到衬底(8)的膜形成表面(9)上的必要位置，因此在不用旋转和/或移动膜形成表面(9)的情况下，能够减少形成在膜形成表面(9)上的薄膜的膜厚度上的离差，并由此能够形成具有均匀厚度的薄膜。此外，还能够随意但到一定程度控制在膜形成表面(9)上的任意位置处的膜厚度。
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公开(公告)号：CN101090995A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001579.7
申请日：2006-02-22
Applicant: 三井造船株式会社 , 株式会社日本微拓科技 , 长州产业株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 一种成膜装置、成膜方法以及有机电发光(EL)元件的制造方法。成膜装置是包括成膜材料的供应源和形成所述成膜材料的膜的基板的成膜装置，其包括：能够在相对于所述基板的表面进行接近及离开的方向移动而配置在所述基板的表面侧的掩模(36)、能够在相对于所述基板的背面进行接近及离开的方向移动而配置在所述基板的背面侧的磁铁(22)、以及将所述磁铁(22)的移动限制在规定范围内的移动限制装置(24)。
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公开(公告)号：CN101090994A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001578.2
申请日：2006-02-22
Applicant: 三井造船株式会社 , 株式会社日本微拓科技 , 长州产业株式会社
CPC classification number: G03F7/707 , C23C14/042
Abstract: 一种掩模保持机构和成膜装置。掩模保持机构是覆盖在被安装保持于成膜装置的夹头(14)上的基板的掩模(24)的掩模保持机构，上述掩模(24)由磁性体形成，在与保持上述夹头(14)的上述基板的夹头面的相反侧，将磁铁(16)以点状配设。而且，上述磁铁(16)被配设为形成格子的格子点的结构。
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公开(公告)号：CN1920089A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510092313.5
申请日：2005-08-26
Applicant: 株式会社日本微拓科技
Abstract: 一种用于堆积有机薄膜的分子束源，能够在大尺寸基底的膜形成表面上形成均匀薄膜，而不会在释放膜形成材料的分子的开口处产生膜形成材料的沉积或分离，其中阀33设置在从所述分子加热部12开始到所述用于向膜形成表面释放产生的膜形成材料的分子的分子释放开口14的空间内，此外，加热器18和19设置在分子释放开口14的侧面，用于加热要释放的膜形成材料的分子。在分子释放开口14侧面设置有具有锥形导壁的外导件13，以及还有具有锥形导壁的内导件16，其设置在所述外导件内。在外导件13和内导件16之间，形成有分子释放通道17，其直径沿分子释放的方向逐渐增大。加热器18和19分别设置在外导件13和内导件16上，此外，除了这些，加热器20设置为贯穿分子释放开口14，由此在释放开口处几乎不会发生变窄及/或阻塞。
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公开(公告)号：CN101090996A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001553.2
申请日：2006-02-22
Applicant: 三井造船株式会社 , 株式会社日本微拓科技 , 长州产业株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , H01L51/50
Abstract: 一种成膜装置的基板安装方法，其在成膜装置上设置蒸发源和与该蒸发源相对的夹头(14)，将基板安装保持在所述夹头(14)上，其中，在配置于所述夹头(14)与所述蒸发源之间的掩模(28)上载置玻璃基板(26)，使所述掩模(28)与玻璃基板(26)一起接近所述夹头(14)，使玻璃基板(26)接触到所述夹头(14)，保持玻璃基板(26)。
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