公开(公告)号：CN115803303B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202180047953.1

申请日：2021-04-28

Applicant: 德国亚琛工业大学

Inventor： L·魏特坎珀 ,  M·劳施 ,  D·戈斯曼 ,  A·沃尔普拉赫特 ,  H·沃特鲁巴 ,  A·荣格曼

IPC: C04B14/10 ,  C04B28/02

Abstract: 本发明涉及提供反应性水泥成分或混凝土外加剂的方法，其包括至少下列步骤：a)再加工至少包含煤和含粘土的岩石的含碳堆；b)提取至少煅烧岩石；c)生产细粒煅烧岩石；d)提供细粒煅烧岩石以用作水泥成分或混凝土外加剂。

公开(公告)号：CN114514618A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080065558.1

申请日：2020-09-21

Applicant: 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/205 ,  G06N10/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种电子部件(10)，所述电子部件由带有用于运动量子点(52)的栅电极组件(16,18,20)的半导体部件或类半导体结构形成。所述电子部件(10)包括具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,20)与电压源连接。具有栅电极(22,24)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件的面(14)上，以用于在基底(12)中产生势阱(50)。栅电极组件(16)具有平行伸延的电极指(32,34)，其中电极指(32,34)周期性地交替相互连接，这引起势阱(50)几乎连续运动穿过基底(12)，其中量子点(52)与所述势阱(50)一起在一方向上平移。

公开(公告)号：CN114424346A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065576.X

申请日：2020-09-01

Applicant: 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： I·赛德勒 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯 ,  M·库内

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/762 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  G06N10/20 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种电子器件（10、110），该电子器件被设计成半导体或者被设计得具有用于使量子点（68、168）在一定距离上移动的类半导体结构。该电子器件（10、110）包括衬底（32、132），其具有二维电子气或电子空穴气。在该电子器件（10、110）的表面（31、131）上布置有栅电极装置（16、18、20、116、118、120），该栅电极装置具有栅电极（38、40、42、44、138、140、142、144）。该栅电极装置（16、18、20、116、118、120）在衬底（32、132）中产生势阱（66、166）。在此，设置用于使该栅电极装置（16、18、20、116、118、120）与电压源连接的电连接端。本发明还涉及一种用于这种电子器件（10、110）的方法。

公开(公告)号：CN114402440A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080065544.X

申请日：2020-09-21

Applicant: 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC: H01L29/762 ,  H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40 ,  G06N10/20

Abstract: 本发明涉及一种电子部件(10)，该电子部件由具有栅电极组件(16,18,40)的半导体部件或类半导体结构形成，用于操纵在量子点(52,54)中的量子位的量子状态，该电子部件包含具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电接触部将栅电极组件(16,18,40)与电压源连接。具有栅电极(20,22,24,26)的第一栅电极组件(16)布置在电子部件(10)的面(14)上以在所述基底(12)中产生能运动的势阱(56,58)。第二栅电极组件(40)用于生成毗邻于第一栅电极组件(16)的势垒。栅电极组件(16,18,40)具有平行伸延的电极指(28,30,32,34)，其中所述第一栅电极组件(16)的电极指(28,30,32,34)周期地交替地互相连接，以促使势阱(56,58)通过基底(12)的几乎连续的运动。

公开(公告)号：CN105377500B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201480030334.1

申请日：2014-03-21

Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 ,  德国亚琛工业大学

Inventor： W.舒尔茨 ,  U.埃佩尔特

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/36 ,  B23K26/382 ,  B23K26/38

Abstract: 本发明涉及一种用于借助激光辐射剥除脆硬材料的方法，其中通过剥除在材料中形成具有剥除凹陷的侧壁的侧壁角（w）的剥除凹陷（1），并且具有入射边缘（4），所述入射边缘被定义成材料表面的空间上伸展的区域，在所述区域处，材料表面的未被改变并因此未被剥除的部分过渡到剥除凹陷中，并且在所述入射边缘处，激光辐射的功率的空间分量被折射和聚焦到未被剥除的材料的体积中。调整激光辐射的分布，使得入射边缘具有小的空间伸展，使得激光辐射的由入射边缘的聚焦作用所检测的功率分量不足以在材料体积中产生电子密度的阈值ρ损伤并且因此避免材料的损伤。

公开(公告)号：CN114424345A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065546.9

申请日：2020-09-21

Applicant: 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/762 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  G06N10/40 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种用于量子计算机的量子位的逻辑互连的电子结构部件(10,110,210,310,410)，所述电子结构部件由半导体部件或类半导体结构形成，所述电子结构部件包括：具有二维电子气或电子空穴气的基底(12)；和具有栅电极(122,124,126,128)的栅电极组件(116,118,120)，所述栅电极组件布置在所述电子结构部件(10,110,210,310,410)的面(14)上。电接触部连接以为了将栅电极组件(116,118,120)与电压源连接。栅电极组件(116,118,120)的栅电极(122,124,126,128)具有平行伸延的电极指(132,134,136,138)。

公开(公告)号：CN114424344A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065541.6

申请日：2020-09-21

Applicant: 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/762 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  G06N10/40 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种用于读取在量子点(42)中的量子位的量子状态的电子部件(10)，其由带有栅电极组件(16,18)的半导体部件或类半导体的结构构成。该电子部件包括带有二维电子气或电子空穴气的基底(12)。电气触点连接栅电极组件(16,18)与电压源。栅电极组件(16,18)具有栅电极(20,22,30,32,34,38,40)，其布置在电子部件(10)的面(14)处以用于在基底(12)中产生势阱(46,48,62,64,66)。此外，本发明涉及一种用于这样的电子部件(10)的方法。

公开(公告)号：CN114402441A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080065560.9

申请日：2020-09-21

Applicant: 德国亚琛工业大学 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： M·库内 ,  H·布鲁姆 ,  L·施莱伯

IPC: H01L29/762 ,  H01L29/76 ,  H01L21/334 ,  H01L29/423 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40

Abstract: 本发明涉及用于初始化量子位的量子力学状态的电子部件(10)，所述电子部件由具有栅电极组件(16,18)的半导体部件或类半导体结构形成。本发明还涉及用于这种电子部件(10)的方法。

公开(公告)号：CN112761401A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110040877.3

申请日：2021-01-13

Applicant: 清华大学 ,  德国亚琛工业大学

Inventor： 王进廷 ,  丁昊 ,  O.阿尔泰 ,  潘坚文

IPC: E04H9/02 ,  E04B1/98

Abstract: 本发明涉及一种多层圆环形调谐液柱阻尼器，包括多个共轴且由内至外层叠放置但不接触的圆柱形壳体，各圆柱形壳体的顶部均开敞且位于同一水平面上、底部封闭且位于不同的水平面上，各相邻的两个圆柱形壳体分别形成一腔体；各相邻的两圆柱形壳体之间均分别设有圆周均布的多个L型隔板，使得各腔体内分别形成连通的多个子腔体，各L型隔板固接于与其接触的圆柱形壳体上，各腔体内分别填充有液体；各隔板底部可设置具体特定开孔面积的孔洞。本发明在现有单向调谐液柱阻尼器的基础上，实现了多向减振消能，能扩大调谐频带宽度以同时控制结构的多阶振型，或增加阻尼器中液体的质量以提高某一阶振型的控制效率。

公开(公告)号：CN106575923B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201580041038.6

申请日：2015-07-22

Applicant: 德国亚琛工业大学

Inventor： 马尔科·施蒂内克 ,  里克·W·A·A·德东克

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明涉及一种DC‑DC转换器，以及具有DC‑DC转换器的DC网络，以及一种用于操作具有DC‑DC转换器的DC网络的方法，其中DC‑DC转换器包括电路装置，电路装置具有两个桥式连接和一个变压器，桥式连接具有半导体开关，变压器布置在桥式连接之间。变压器设置有一个步进开关，通过该步进开关可以切换变压系数。通过选择变压系数，可以扩大DC‑DC转换器形式的双有源桥的软切换范围。因此，可使用纯电容性缓冲器作为缓冲器，由此可以减少开关损耗。