公开(公告)号：CN110731001B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201880038543.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： S·马利克 ,  W·A·赖纳特

IPC: H01L21/02 ,  C08L59/00 ,  G03F7/004 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明涉及一种多层结构，包含：衬底；沉积在衬底上的耦合层；以及沉积在耦合层上的介电层，其中，与不存在耦合层的多层结构相比，在存在耦合层的情况下，剪切强度提高至少约2倍。

公开(公告)号：CN114072488B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202080046723.9

申请日：2020-04-23

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： E·A·克内尔

IPC: C11D7/50 ,  C11D7/32

Abstract: 本公开涉及蚀刻组合物，该蚀刻组合物可用于，例如，选择性地从半导体基板移除钴(Co)而基本上不形成钴氧化物副产物。

公开(公告)号：CN118414689A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280084750.4

申请日：2022-12-15

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： 胡斌 ,  B·杜乌恩 ,  C·巴列斯特罗斯 ,  梁燕南 ,  李孝相

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10

Abstract: 本申请涉及一种方法，其包括将抛光组成物施加至基材的表面；使垫与该基材的该表面接触并相对于该基材移动该垫，以产生经抛光基材；以冲洗溶剂处理该经抛光基材；使蒸气流过弯月面，该弯月面形成在该经抛光基材上之空气与该冲洗溶剂之间的界面处。该蒸气包括第一组分，其含有水溶混性有机溶剂；第二组分，其含有清洁剂；及第三组分，其含有惰性气体。

公开(公告)号：CN118414401A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202380014543.6

申请日：2023-11-21

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： 黄亭凯 ,  梁燕南 ,  胡斌 ,  陈俊甫 ,  庄英生 ,  邱子玮 ,  蔡林松 ,  范涵育 ,  吕新贤

IPC: C09K3/14 ,  C23F1/10 ,  C09G1/02

Abstract: 本公开内容涉及一种抛光组成物，其包括研磨剂、至少两种pH调节剂、阻挡膜移除速率增强剂、低k移除速率抑制剂及含唑腐蚀抑制剂。本公开内容的特征亦在于一种使用所述抛光组成物来抛光含有铜和氧化硅的基板的方法。

公开(公告)号：CN110462525B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201880019856.X

申请日：2018-03-22

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： W·A·沃伊特恰克 ,  朴起永 ,  水谷笃史

IPC: G03F7/42 ,  C07C311/48 ,  C08L83/14 ,  G03F7/075 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供了用于处理表面的方法及用于所述方法的组合物，其中表面处理层形成于所述表面上，从而在所述表面经受半导体制造过程中的典型清洁步骤时使图案塌缩最小化或防止图案塌缩。

公开(公告)号：CN114736612B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210415098.1

申请日：2019-08-30

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： C·巴列斯特罗斯 ,  A·米什拉 ,  E·特纳

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种抛光组合物，该组合物包括：至少一种磨料；至少一种氮化物去除率降低剂，包含：含有C12至C40烃基团的疏水部分；含有至少一种基团的亲水部分，所述至少一种基团选自于由亚磺酸基、硫酸基、羧基、磷酸基团和膦酸基团组成的组；和其中，所述疏水部分和所述亲水部分被0个环氧烷基团分开；酸的混合物，所述酸的混合物包含氨基酸；以及水；其中，所述抛光组合物不含盐和阴离子聚合物，并且所述抛光组合物具有2至6.5的pH。

公开(公告)号：CN116568743A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180073502.5

申请日：2021-08-27

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： E·A·克内尔 ,  T·多瑞 ,  水谷笃史

IPC: C08K5/42

Abstract: 本公开涉及一种清洁组成物，其含有1)至少一种氧化还原剂；2)至少一种螯合剂，该螯合剂为聚氨基多羧酸；3)至少一种腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑；4)至少一种磺酸；及5)水。

公开(公告)号：CN116457432A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202280005253.0

申请日：2022-10-21

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： E·特纳 ,  胡斌 ,  梁燕南 ,  J·约翰斯顿 ,  詹姆斯·麦克多诺

IPC: C09G1/04

Abstract: 一种抛光组合物包括阴离子磨料；pH调节剂；过渡金属催化剂；及氨基酸。一种抛光基材的方法包括以下步骤：将本文所述的抛光组合物施加至基材的表面，其中该表面包含钨或钼；及使垫与该基材的表面接触，并相对于该基材移动该垫。

公开(公告)号：CN116134589A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202280006066.4

申请日：2022-07-28

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： 黄亭凯 ,  胡斌 ,  梁燕南 ,  朴红

IPC: H01L21/321

Abstract: 本公开有关于一种组成物，其包括至少一种第一钌去除率增强剂；至少一种铜去除率抑制剂；至少一种低k去除率抑制剂；及一水性溶剂。

公开(公告)号：CN111902379B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201980021716.0

申请日：2019-02-19

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司

Inventor： T·多瑞 ,  M·伯杰罗帕夫里克 ,  J·格斯基 ,  高桥和敬

IPC: C03C15/00 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种清洗组合物，其含有1)至少一种氧化还原剂；2)至少一种烷基磺酸或其盐，所述烷基磺酸含有经OH或NH2取代的烷基；3)至少一种氨基醇；4)至少一种腐蚀抑制剂；5)至少一种水溶性有机溶剂；6)水；以及7)任选地，至少一种pH调整剂。