-
公开(公告)号：CN106916343A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710285843.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
IPC: C08L1/28 , C08K13/02 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08K3/40 , C08K3/04 , C08K3/22 , C08K3/26 , C08K5/3412
CPC classification number: C08K13/02 , C08K3/04 , C08K3/22 , C08K3/2279 , C08K3/26 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08K3/40 , C08K5/3412 , C08K2003/222 , C08K2201/011 , C08K2201/014 , C08L2201/02 , C08L2203/206 , C08L1/284
Abstract: 本发明涉及热沉材料领域，尤其是一种热沉材料包裹材料，其原料按重量份计为：碳化硅40～60份、纳米二氧化硅5～10份、玻璃粉15～20份、石墨烯3～6份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、氧化镁8～12份、三氧化二锑4～6份、偏硅酸钠2～4份、增粘剂1～3份、氮丙啶交联剂3～5份。该热沉材料包裹材料具有高绝缘性，能够直接将LED芯片贴合在包裹材料上，简化封装结构，降低成本，且该包裹材料具有良好阻燃性。
-
公开(公告)号：CN106517106A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610923138.8
申请日：2016-10-29
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
IPC: C01B19/02
CPC classification number: C01B19/02 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种高纯碲的高效提纯方法，其特征在于，该方法的步骤如下：a)将工业碲粉加入到质量分数为40～68％的硝酸中，搅拌2～2.5h，加热至25～75℃，加热时间为20～50min，过滤，将制得的二氧化碲放入去离子水中煮沸10～20min，过滤，制得二氧化碲；b)在质量分数为30％～40％盐酸中加入制得的二氧化碲，搅拌，加热至40～80℃，反应过程中加入体积浓度为10％～20％硝酸盐，当二氧化碲完全溶解后，过滤；c)在滤液中加入质量分数为45～60％亚硫酸氢钠溶液，加热至80～85℃，过滤，洗涤，烘干，得到3N～4N的精碲；d)在400～700℃下，氢气气氛中，熔解制得的3N～4N的精碲，采用直拉提纯法得到5N～6N的高纯碲，解决现有的高纯碲提纯效果效果较差的问题。
-
公开(公告)号：CN106495238A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610923109.1
申请日：2016-10-29
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
CPC classification number: C01G53/11 , C01G49/12 , C01G51/30 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种高纯度二硫化镍的制备方法，属于化工技术领域，包括以下步骤：将可溶性的镍盐溶于去离子水，滴加酸调节溶液pH值为0～3，再加入可溶于水的含硫化合物，硫/镍摩尔比为4～10，搅拌完全溶解后放入到反应釜中，并将镍盐和含硫化合物在微波环境下进行水热反应，在180～220℃恒定温度下反应1～3h，经水洗、醇洗后，真空干燥得到高纯度二硫化镍，解决现有的二硫化镍的制备方法工艺复杂、成本高的问题。
-
公开(公告)号：CN109136579A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811258252.9
申请日：2018-10-26
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
Inventor： 郭春雨
Abstract: 本发明公开了一种提高提纯效果的金属钠提纯装置，包括：加热罐，包括位于上方的进料口和位于下方的排料口；排料管，与排料口连接；过滤网，位于加热罐内部；第一加热装置，环设于加热罐外侧壁，并位于过滤网上方；十字形导热架，设置于加热罐内部并对应于第一加热装置的中心位置；第二加热装置，环设于加热罐外侧壁，并位于过滤网下方；丁字形导热架，设置于加热罐内部，其水平部对应于第二加热装置的中心位置，其竖直部延伸至排料管内部。本发明的丁字形导热架的竖直部对排料管温度也进行加热，使得在排料管具有一定长度时，可以保证排料管内部的温度，避免液态钠在排出过程中容易进行状态的变化，该状态变化会使得排料管堵塞的问题。
-
公开(公告)号：CN106348259A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610923198.X
申请日：2016-10-29
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
IPC: C01B19/04
CPC classification number: C01B19/004 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种高纯度二氧化碲粉体的制备方法，具体包括如下步骤：将原料碲粉细磨至粒径≤150μm；硝酸氧化：将浓度为66~67%的浓硝酸加入反应釜中，加热至温度55～65℃，加入步骤（1）的碲粉后，在70～80℃恒温下，搅拌2～3小时至反应完全；调节pH值：待温度降至≤50℃，加入氨水溶液进行加速沉淀后，分离上清液和物料沉淀，用去离子水洗涤得到的物料至洗涤液的 pH值为7；脱水和煅烧：控制物料温度为200℃进行烘干2～3小时，再控制温度为600~650℃，煅烧3～3.5小时，即得高纯二氧化碲粉体；磨粉和筛分，解决现有的步骤复杂、所用化学试剂较多，能耗高以及效率较低的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106992243A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710285845.3
申请日：2017-04-27
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
IPC: H01L33/64 , H01L23/373
CPC classification number: H01L33/641 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、纳米碳管4～8份、碳化硅3～6份、银导电胶1～5份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、AlN颗粒10～15份、氧化镁10～20份、三氧化二锑5～10份、偏硅酸钠2～4份。该热沉材料具有良好的效果，且更容易与LED芯片贴合，表面绝缘性及阻燃性能良好。
-
公开(公告)号：CN106977973A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710285844.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
CPC classification number: C08L101/00 , C08L2201/02 , C08L2201/04 , C08L2205/03 , C08L71/02 , C08L83/12 , C08K13/06 , C08K9/10 , C08K2003/026 , C08K3/2279 , C08K7/28
Abstract: 本发明涉及材料领域，尤其是一种抗静电阻燃母粒，其原料按重量份计为：三氧化二锑25～35份、空心玻璃微珠15～25份、微胶囊化红磷8～12份、氢氧化钠45～55份、高分子聚氧乙烯20～30份、聚醚型改性硅氧烷10～15份、载体树脂55～65份、水30～40份、分散剂2～5份、防沉剂1～3份。阻燃效果良好，且抗静电效果好，可以有效保障使用安全。
-
公开(公告)号：CN106916339A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710285842.X
申请日：2017-04-27
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
IPC: C08K13/04 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K7/24 , C08K3/04 , C08K3/38 , C08K3/32 , C08K5/521 , C08K5/3492
CPC classification number: C08K13/04 , C08K3/04 , C08K3/22 , C08K3/2279 , C08K3/32 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K5/34928 , C08K5/521 , C08K7/24 , C08K2003/222 , C08K2003/2227 , C08K2003/323
Abstract: 本发明涉及阻燃技术领域，尤其是一种三氧化二锑阻燃剂。其原料按重量份计为：三氧化二锑20～30份、石英石粉40～60份、氧化镁10～15份、氢氧化铝30～45份、膨胀石墨10～15份、偏硼酸钠2～5份、磷‑氮系阻燃剂25～35份。采用三氧化二锑阻燃助剂及其他阻燃物质有效减少了三氧化二锑的使用量，降低了成本，且提升了阻燃性能。
-
公开(公告)号：CN106548994A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610967140.5
申请日：2016-10-28
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L33/64
CPC classification number: H01L23/373 , H01L23/3731 , H01L33/64
Abstract: 本发明公开了一种半导体用热沉材料，所述热沉材料主要成份按照重量百分比分别为：石墨30-50份、氧化铝7-9份、氮化铝6-8份、碳化硅9-10份、纳米碳管4-8份、二氧化硅5-8份、蒙脱石2-3份、氧化锌1-2份、碳酸钠2-3份、二氧化锆溶胶4-5份、轻质钙3-5份、纤维素15-16份、二氧化钙3-5份、钛酸硼2-6份和氧化锆3-5份。本发明制得的半导体用热沉材料中的包裹层具有高绝缘性，能够直接将LED芯片贴合在包裹层上，简化封装结构，降低成本。
-
公开(公告)号：CN106517302A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610923108.7
申请日：2016-10-29
Applicant: 乐山凯亚达光电科技有限公司
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2004/64 , C01P2006/60
Abstract: 本发明公开了一种纳米级氧化锌晶体的制备方法，化工技术领域，包括下列步骤：1）将锌盐溶液浓度调整为0.8-1.8mol∕L，加热至35-75℃，加入碱溶液使锌盐溶液的PH为11-12、表面活性剂和耐化学改性剂，并在30-60℃条件下恒温反应2-4小时后，得到氢氧化锌和氧化锌的沉淀；2）过滤分离得到固体氢氧化锌和氧化锌混合物，对氢氧化锌和氧化锌混合物进行洗涤，直至洗涤液中不含有锌盐阴离子为止；3）将步骤（2）得到的固体混合物放入闪蒸干燥机内，于180-280℃中闪蒸、烘干、粉碎，得到96-99﹪的纳米级氧化锌粉体，将得到纳米级氧化锌粉体进行改性处理，解决现有的氧化锌的制备方法成本较高的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.048 seconds)
